2008年復旦-諾發(fā)國際銅互連及相關(guān)技術(shù)研討會(huì )最佳研究生論文競賽正式展開(kāi)

復旦-諾發(fā)國際銅互連及相關(guān)技術(shù)研討會(huì )
Best Graduates Paper Contest
最佳研究生論文競賽
論文截止日期：2008年2月28號 

    復旦-諾發(fā)國際銅互連及相關(guān)技術(shù)研討會(huì )將于2008年舉辦第一屆最佳研究生論文競賽。該會(huì )議是由復旦-諾發(fā)互連研究中心舉辦的一年一次的國際會(huì )議，致力于為半導體工藝、先進(jìn)材料研究和銅互連技術(shù)的大學(xué)生、研究人員以及工業(yè)界工程師提供一個(gè)關(guān)于半導體新技術(shù)的交流討論平臺，并提供了與世界一流半導體技術(shù)專(zhuān)家交流學(xué)習的機會(huì )。

    本次最佳研究生論文競賽的參賽對象為：中國大陸地區的高校及科研院所的在校研究生。參賽領(lǐng)域包括：

1，半導體制造和互連工藝中的新技術(shù)(Novel technology for semiconductor processing and interconnect) 
2，Cu/Low k 集成技術(shù) (Cu/Low k Integration) 
3，面向45nm及以下技術(shù)結點(diǎn)的PVD/CVD/ALD擴散阻擋層和銅籽晶層 (PVD/CVD/ALD barrier and seed layers for copper for 45nm and beyond) 
4，化學(xué)機械拋光材料和工藝技術(shù)(CMP material and process technology) 
5，干法工藝（溝槽結構和雙鑲嵌工藝，干法刻蝕工藝，等離子體造成的損傷，等） (Dry Processing (Trenches & Damascene structures, dry cleaning processes, plasma induced damage, etc.) 
6，先進(jìn)介質(zhì)材料（低介電常數介質(zhì)，高介電常數介質(zhì)，抗反射薄膜等）以及薄膜淀積工藝進(jìn)展（Advanced Dielectric materials (low k, high k, ARCs, etc.) and deposition processes development） 
7，先進(jìn)電鍍技術(shù)（Advanced electrofill technology） 
8，金屬化的可靠性研究（Reliability of metallization） 
9，先進(jìn)圖像轉移技術(shù)（Advanced patterning process） 
 
    論文競賽組織者非常歡迎來(lái)自互連技術(shù)的所有領(lǐng)域的優(yōu)秀文章。最佳研究生論文競賽評委會(huì )將由2008年受邀的報告者以及來(lái)自學(xué)術(shù)界和諾發(fā)系統有限公司的專(zhuān)業(yè)人員組成。

    論文要求以電子格式提交，內容長(cháng)度為三頁(yè)A4紙，包括所有的說(shuō)明和圖表。文章必須為未公開(kāi)發(fā)表的原創(chuàng )性的文章。提交的文章如果已經(jīng)發(fā)表過(guò)、或在其它會(huì )議報告過(guò)將不會(huì )被接受。作者的聯(lián)系信息統一寫(xiě)在文章的第一頁(yè)，內容包括姓名，機構，以及省市。文章必須用英文書(shū)寫(xiě)。最佳論文競賽的論文格式參考IITC會(huì )議的格式，電子模板將在會(huì )議競賽網(wǎng)頁(yè)上登出。我們將在2008年3月發(fā)布文章是否被接收的通知，被接受的文章將在復旦－諾發(fā)國際互連研討會(huì )上進(jìn)行報告。

    入選文章的作者將給予相應獎勵：

一等獎 1名；人民幣5000元；

二等獎 2名；人民幣3000元，

三等獎 3名；人民幣1000元。

鼓勵獎：若干。 

請將文章在2008年2月之前以Email形式發(fā)送給：

諾發(fā)系統半導體設備（上海）有限公司
Helen Xu，Email: helen.xu@novellus.com