RAMTRON擴展其非易失性狀態(tài)保存器系列功能

　　非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布擴展其非易失性狀態(tài)保存器系列，推出4位狀態(tài)保存器，以4位 F-RAM技術(shù)為基礎，無(wú)需耗電即可保存邏輯狀態(tài)，并在上電時(shí)自動(dòng)恢復輸出。任何狀態(tài)改變均會(huì )自動(dòng)記錄在非易失性的鐵電鎖存內，這是因為F-RAM存儲器技術(shù)具備獨特的高速寫(xiě)入能力和低功耗特性，以及極高的耐用性。

　　FM111x 4位狀態(tài)保存器目前有三款產(chǎn)品：即工作電壓為5V的FM1110；以及工作電壓為3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作類(lèi)似傳統的邏輯構件，使用起來(lái)就像雙鎖存或D型觸發(fā)器一樣簡(jiǎn)單，但在斷電時(shí)可自動(dòng)存儲和保持邏輯狀態(tài)，從而簡(jiǎn)化系統控制功能在各種應用中的設計，包括開(kāi)關(guān)接口、轉換寄存器、繼電器驅動(dòng)器、LED驅動(dòng)器、錯誤標記記錄、掉電狀態(tài)檢測、防拆指示器、開(kāi)門(mén)指示器、電機開(kāi)/關(guān)控制、替換撥碼開(kāi)關(guān)、替換跳線(xiàn)器及其它非易失性邏輯電路。FM1114的獨特之處在于具有低于.5µA的超低待機電流，因而適用于便攜式、電池供電及低功耗應用，如八進(jìn)制鎖存和非易失性計數器等。

　　Ramtron技術(shù)市務(wù)總監Craig Taylor稱(chēng)：“FM111x是2位狀態(tài)保存器的自然擴展，專(zhuān)為應用需要更多數據的客戶(hù)而開(kāi)發(fā)。4位狀態(tài)保存器是不斷演變的真正創(chuàng )新產(chǎn)品系列中的第二個(gè)產(chǎn)品線(xiàn)，F-RAM技術(shù)具備高速寫(xiě)入、低功耗和幾乎無(wú)限的耐用性，因而使到這一功能能夠實(shí)現?！?/P>

　　這種低功耗非易失性狀態(tài)保存器是一個(gè)邏輯構件，無(wú)需讀取存儲器就可以對非易失性系統設置進(jìn)行連續存取。它能夠存儲變化頻繁而毋須預先通知的信號，還可以在無(wú)需增加串行存儲器系統開(kāi)銷(xiāo)的情況下，對系統設置進(jìn)行非易失性存儲。