iSuppli提升近期內存市場(chǎng)條件評測等級

　　北京時(shí)間7月19日硅谷動(dòng)力從國外媒體處獲悉：市場(chǎng)研究機構iSuppli在內存市場(chǎng)有增長(cháng)跡象和貫穿2007年的內存價(jià)格下滑結束的情況下，將近期DRAM內存供應商面臨市場(chǎng)條件等級由消極提升到中性，同時(shí)對NAND閃存的市場(chǎng)條件等級做了同樣的調整。

　　iSuppli在今年一月中旬把DRAM內存市場(chǎng)的條件等級降為消極，當時(shí)DRAM內存市場(chǎng)正處在嚴重低迷的狀態(tài)，到六月底DRAM內存的價(jià)格下滑超過(guò)了70%。但是，iSuppli預期市場(chǎng)在6月底將跌到底部，7月上半月隨著(zhù)內存原始制造商DRAM內存價(jià)格的上漲，內存市場(chǎng)的增長(cháng)因素將在7月發(fā)生轉變。

　　iSuppli盡管已提升的市場(chǎng)條件等級，但表示仍需繼續關(guān)注存貨總量。分析師Kim表示DRAM內存供應商的存貨雖然有些許減少，但在現貨市場(chǎng)仍然偏多，而原始設備制造商據信持有三到四周銷(xiāo)量的存貨。一旦批發(fā)商和其他渠道分銷(xiāo)商為尋求利潤低價(jià)出售完手中存貨，市場(chǎng)增長(cháng)的動(dòng)力將減緩，因為大多數批發(fā)商和渠道分銷(xiāo)商是在一月前高于當前價(jià)格水平時(shí)購買(mǎi)的存貨。

　　在看到DRAM內存市場(chǎng)增長(cháng)前景的同時(shí)，DRAM內存供給三季度將少量增長(cháng)，預期將低于一、二季度的增長(cháng)。內存廠(chǎng)商正放松DRAM內存的生產(chǎn)，轉向利潤更高的NAND閃存生產(chǎn)，而臺灣的廠(chǎng)商正在經(jīng)歷向比80納米技術(shù)跟先進(jìn)的技術(shù)過(guò)渡。NAND閃存的強勁價(jià)格對DRAM內存市場(chǎng)來(lái)說(shuō)時(shí)一個(gè)積極因素。

　　盡管NAND閃存的供應商正在享受強勁的價(jià)格，iSuppli認為2季度的NAND閃存價(jià)格上漲主要是因為供給增長(cháng)下降而不是需求增長(cháng)，當前的價(jià)格反彈持續時(shí)間不會(huì )太長(cháng)，韓國的三星電子和海力士已經(jīng)在5月底6月初開(kāi)始將DRAM內存產(chǎn)能轉化為NAND閃存產(chǎn)能，在DRAM內存供應商的NAND閃存產(chǎn)量顯著(zhù)提高時(shí)，8月份NAND閃存價(jià)格將繼續下跌。iSuppli相信NAND閃存市場(chǎng)仍然需要蘋(píng)果iPhone手機以外的需求推動(dòng)，才能在今年下半年實(shí)行恢復。