KLA-Tencor推出新一代電子束缺陷再檢查和分類(lèi)系統

KLA-Tencor正式推出新一代晶片缺陷再檢查和分類(lèi)系統 eDR-5200。該系統綜合高分辨率圖像和高缺陷再檢查靈敏度，以及與 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統的獨特連接技術(shù)，進(jìn)而實(shí)現更高的再檢查效能，更短的良率學(xué)習周期和更高的總體系統生產(chǎn)效率。KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統和 eDR-5200 電子再檢查系統的獨特連接，確保生產(chǎn) 45 納米及以下的芯片廠(chǎng)每小時(shí)能建立更多， 更高品質(zhì)的缺陷 Pareto 圖†，讓工程師得以采取快速、準確的糾正措施，以確保器件良率。 
 
KLA-Tencor 電子束產(chǎn)品群副總裁 Zain Saidin 表示：“隨著(zhù)設計準則縮小到 45 納米及以下，缺陷檢查和良率工程師越來(lái)越關(guān)心其電子再檢查工具所建立的缺陷 Pareto 圖的品質(zhì)。我們最新一代的光學(xué)檢測系統 281x 和 Puma 9150 能夠尋找到小于 50 納米的關(guān)鍵性缺陷，而以往的電子束再檢查系統很難對這些缺陷進(jìn)行再檢查。大量的“找不到”或“電子束不可見(jiàn) (SNV)”缺陷充斥缺陷 Pareto 圖，進(jìn)而影響工程師做出提高良率和工藝監控的正確決策。將 eDR-5200 納入我們的缺陷解決方案后，能在更短的時(shí)間內大量減少 SNV 的數量，并使缺陷 Pareto 圖更準確地反映晶片上關(guān)鍵缺陷 (DOI) 的種類(lèi)和數量?！?nbsp;

eDR-5200 采用的浸沒(méi)式設計（請參閱技術(shù)概要），突破了一直阻礙傳統電子束再檢查系統欲進(jìn)一步增加分辨率的障礙，進(jìn)而可對 50 納米以下的缺陷進(jìn)行成像和分類(lèi)。借助行業(yè)領(lǐng)先的定位平臺精確度，以及在 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統上產(chǎn)生的patch圖像，eDR-5200可降低缺陷 Pareto 圖中的SNV比例達一個(gè)數量級以上。同時(shí)，其一系列全新的缺陷分類(lèi)方法將進(jìn)一步幫助用戶(hù)快速建立有意義的，高品質(zhì)的缺陷 Pareto 圖。例如，智慧協(xié)助分類(lèi) (ePAC) 可讓用戶(hù)不必經(jīng)歷漫長(cháng)而繁瑣的設置過(guò)程就從手動(dòng)分類(lèi)過(guò)渡到完全自動(dòng)分類(lèi)。 

KLA-Tencor 在 eDR-5200 電子束再檢查系統和其光學(xué)檢測系統之間建立起獨特連接，讓用戶(hù)能在 eDR-5200 上就可設置和優(yōu)化光學(xué)檢測系統的程式，而無(wú)需在系統間來(lái)回傳送晶片。其結果是檢測系統程式設置的時(shí)間可縮短一半，同時(shí)質(zhì)量得到顯著(zhù)提高，使缺陷 Pareto 圖上能顯示更大比例的需關(guān)注缺陷，和更少的 SNV 缺陷。此外，當 eDR-5200 再檢查系統和 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統配合使用于工藝窗口鑒定 (PWQ) 時(shí)，獲得結果的時(shí)間可縮短 10 倍以上。eDR-5200 再檢查和分類(lèi)系統和 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統的完美結合能創(chuàng )造出目前市面上生產(chǎn)效率最高的檢測-再檢查-分類(lèi)解決方案。

eDR-5200 再檢查和分類(lèi)系統現已在亞洲、歐洲和美國等地區的存儲和邏輯器件生產(chǎn)廠(chǎng)安裝和使用。許多廠(chǎng)家依靠該系統獨有的行業(yè)領(lǐng)先的高分辨率圖像和再檢查能力，以及與 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統的有效連接，已經(jīng)成功地在最短的時(shí)間內建立起最高品質(zhì)的缺陷 Pareto 圖。