瑞薩開(kāi)發(fā)出具有45nm及以上工藝的微處理器和SoC器件

瑞薩科技布，開(kāi)發(fā)出一種具有45 nm（納米）及以上工藝的微處理器和SoC（系統級芯片）器件、低成本制造能力的超高性能晶體管技術(shù)。新技術(shù)利用瑞薩開(kāi)發(fā)的專(zhuān)有混合結構（在2006年12月以前發(fā)布的一種先進(jìn)技術(shù)）改善了CMIS（注1）晶體管的性能。瑞薩已經(jīng)在2007年6月12日于日本京都舉行的2007年超大規模集成電路技術(shù)專(zhuān)題研討會(huì )（2007 Symposium on VLSI Technology）上闡述了這一新的、增強的混合結構，并演示了測試數據。

像以前的技術(shù)一樣，新的半導體制造技術(shù)有一個(gè)采用氮化鈦（TiN）金屬柵極的P型晶體管，以及一個(gè)采用傳統多晶硅柵極的N型晶體管。不過(guò)，新的P型晶體管采用兩層柵極結構，而不是單層柵極，以更有效地控制門(mén)限電壓（注2）。而且，新型混合結構利用應變硅制造技術(shù)來(lái)提升驅動(dòng)電流能力。與以前的瑞薩混合結構相比，這些創(chuàng )新產(chǎn)品的性能大約提高了20%。重要的是，新型結構可以實(shí)現低成本制造，因為它不需要對目前的制造工藝進(jìn)行重大改變。

一個(gè)包含40 nm柵極長(cháng)度晶體管的實(shí)驗芯片已經(jīng)制造完成。對這個(gè)芯片的測試數據證實(shí)了其全球頂級水平的驅動(dòng)性能：在1.2 V電源電壓條件下，N型晶體管為1,068μA/μm，P型晶體管為555μA/μm。