劉忠立:證明中國半導體器件技術(shù)實(shí)力

    隨著(zhù)信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，半導體器件和集成電路事業(yè)恰逢?yáng)|風(fēng)，日新月異。我國在該領(lǐng)域的研究逐步邁入世界先進(jìn)行列，具有一定的發(fā)展優(yōu)勢及規模。劉忠立教授作為國內該學(xué)科研究的領(lǐng)軍人物之一，為半導體器件技術(shù)的國產(chǎn)化做出了卓越的貢獻。 
　　
    劉忠立畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線(xiàn)電電子學(xué)系半導體材料及器件專(zhuān)業(yè)。歷任中國科學(xué)院半導體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室副主任?，F任中國科學(xué)院半導體研究所研究員、博士生導師、創(chuàng )新重大項目“特種半導體器件及電路”負責人；兼任傳感技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室學(xué)術(shù)委員會(huì )委員、973國家重大基礎研究項目“面向功能重組結構的DSP&CPU芯片及其軟件的基礎研究”專(zhuān)家委員會(huì )委員、中國電子學(xué)會(huì )核輻射電磁脈沖專(zhuān)委會(huì )委員、中國電子學(xué)會(huì )半導體與集成技術(shù)分會(huì )ICCAD專(zhuān)委會(huì )委員、科技部經(jīng)濟專(zhuān)家委員會(huì )專(zhuān)家、中國國際工程咨詢(xún)公司項目評估專(zhuān)家等職。這成串的職位背后蘊涵著(zhù)劉忠立無(wú)盡的拼搏與奮進(jìn)。 

　　上世紀60年代中期，劉忠立和研究小組成員沖破重重障礙，試制成功MOSFET及低噪音JFET等器件，其后，在國內率先建立了鈍化柵Si02中鈉離子的PSG(磷硅玻璃)方法、摻HCL高質(zhì)量柵Si02生長(cháng)等多項新工藝。由他主持的CMOS指針式電子手表電路研究，榮獲北京市科技二等獎。 

　　創(chuàng )新的理念激勵著(zhù)他不斷前進(jìn)，1980-1982年，他作為訪(fǎng)問(wèn)學(xué)者在德國多特蒙德大學(xué)電子系從事新CMOS器件研究，首創(chuàng )性地提出并負責完成離子注入氮形成隱埋Si3N4的CMOS／SOI研究課題，得到國際同行的認可。劉忠立憑借他精湛的專(zhuān)業(yè)理論知識，先進(jìn)的創(chuàng )造性思維觀(guān)念，以及他特有的執著(zhù)與頑強向世人證明了中國半導體器件事業(yè)的發(fā)展實(shí)力?；貒笏滞度氲娇馆椛銫MOS／SOS集成電路研究中，使CMOS／SOS電路的抗輻射指標達到國際上相應電路的最好水平，獲中科院科技進(jìn)步二等獎。1987年承擔東Ⅱ(甲)長(cháng)壽命衛星5個(gè)品種抗輻射CMOS／SOS電路研制，發(fā)明的專(zhuān)利填補了國內空白，被中科院授予科技進(jìn)步二等獎。 

　　1990-1991年受聘于德國著(zhù)名的HMI研究所從事MOS器件抗輻射研究，成果顯著(zhù)。在此期間完成專(zhuān)著(zhù)一本，被高校選作參考教材。1992年負責的抗輻射加固COMS/SOS電路研制工作順利完成，標志這一高難度技術(shù)在我國進(jìn)入成熟及實(shí)用階段。突出的成績(jì)使他榮獲光華基金個(gè)人二等獎。 

　　“八五”及“九五”期間，他負責多項國家重大預研課題，均已通過(guò)驗收。同中科院微電子所合作完成64K抗輻射CMOS／SOISRAM院重點(diǎn)創(chuàng )新項目，目前正在開(kāi)展更大規模的同類(lèi)電路研究。同時(shí)，他繼續開(kāi)展SiGe／SOS、SiGe／SOIRF及寬帶隙（SiC）等器件研究，已取得國內一流的研究成果，研制成高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiCMOS管等。出色的科研工作使劉忠立研究員在國內建立了一個(gè)抗輻射CMOS/SOS及CMOS/SOI研究基地，培養了眾多科研領(lǐng)域的中堅力量。多年來(lái)，他把自己的創(chuàng )造性思維與研究心得凝結成文字，發(fā)表著(zhù)作多部，重要論文80余篇。 

　　獲得的榮耀激勵著(zhù)劉忠立教授一如既往的在半導體器件領(lǐng)域不斷開(kāi)拓進(jìn)取。