串行存儲器AT45DB161B在車(chē)輛行駛記錄儀中的應用

1 概述

行駛記錄儀的主要數據包括事故疑點(diǎn)和行駛狀態(tài)數據。其中，事故疑點(diǎn)數據是記錄儀以不大于0．2s的時(shí)間間隔持續記錄并存儲停車(chē)前20 s實(shí)時(shí)時(shí)間所對應的車(chē)輛行駛速度及車(chē)輛制動(dòng)狀態(tài)信號，記錄次數至少為1O次：行駛狀態(tài)數據是無(wú)論車(chē)輛在行駛狀態(tài)還是停止狀態(tài)，記錄儀提供的與實(shí)時(shí)時(shí)間對應的車(chē)輛行駛速度信息。記錄儀應能以不大于1 min的時(shí)間間隔持續記錄并存儲車(chē)輛在最近360 h內的行駛狀態(tài)數據，該行駛狀態(tài)數據主要是車(chē)輛在行駛過(guò)程中與實(shí)時(shí)時(shí)間相對應的每分鐘間隔內的平均行駛速度值[1]。

該記錄儀需要采用大容量的數據存儲器。以往的設計均采用并行存儲器或鐵電存儲器。其中并行存儲器存儲容量大，讀寫(xiě)速度快。但是抗干擾能力差，而汽車(chē)上的干擾較強．雖然可以通過(guò)其它軟、硬件措施來(lái)避免。但是在設計時(shí)一般都需要選擇抗干擾能力強的芯片；鐵電存儲器采用串行接口，抗干擾能力強，也具有很高的靈活性，可以單字節讀寫(xiě)(不需要擦除，可直接改寫(xiě)數據)，但其存儲密度小，單位成本高，讀寫(xiě)速度較慢，由于行駛記錄儀要求每0．2 s采樣一次速度和狀態(tài)，因此讀寫(xiě)存儲器的速度會(huì )影響采樣的精度和程序的運行。

現在的EEPROM閃速存儲陣列Flash Memory有ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器(Small Sector Flash Memory)和ATMEL的海量存儲器(Data-Flash Memory)。這類(lèi)器件具有EEPROM與NOR技術(shù)Flash Memory的綜合優(yōu)勢，主要表現為：

(1)讀寫(xiě)靈活性比EEPROM差，不能直接改寫(xiě)數據。在編程之前需先進(jìn)行頁(yè)擦除，與NOR技術(shù)Flash Memory的塊結構相比，其頁(yè)尺寸小，因而具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點(diǎn)：

(2)與EEPROM相比，這種存儲器具有明顯的成本優(yōu)勢；

(3)存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術(shù)Flash Memory小[2]。

因此，該Dataflash存儲容量大，讀寫(xiě)速度快，抗干擾能力強，在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來(lái)存儲數據的記錄儀設計方案。

2 AT45DB161B串行存儲器

ATMEL公司的Data-Flash產(chǎn)品的代表型號為AT45DBxxxx。此系列存儲器容量較大(從1～256MB)；封裝尺寸小，最小封裝型式(CBGA)的尺寸為6 mm