瑞薩發(fā)布最快4千兆位AG-AND型閃存芯片

　　瑞薩科技公司宣布開(kāi)發(fā)出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型閃存存儲器，可以提供世界上最快的10 M字節/秒編程速度，用于電影和類(lèi)似應用中的大容量數據的高速記錄。在2004年9月，將從日本開(kāi)始樣品發(fā)貨，隨后在12月將開(kāi)始批量生產(chǎn)。

　　R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有´8和´16位配置，可以提供下面的主要性能。

　　(1)世界上最快的4千兆位閃存存儲器（芯片）

　　作為實(shí)現了多級單元技術(shù)*2和高速度的第二階段AG-AND型閃存存儲器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能達到10 M字節/秒的快速編程速度。復制一個(gè)2小時(shí)的MPEG-4格式的電影，大約需要2分鐘就可以完成錄制。

　　(2)小型芯片尺寸

　　由于使用90 nm工藝和改進(jìn)的AG-AND閃存存儲器單元設計，實(shí)現了世界上最小的存儲單元。與1千兆位AG-AND型閃存存儲器相比，每千兆位的芯片面積大約縮小了三分之二。

　　這些新產(chǎn)品的發(fā)布使得電影和音樂(lè )等大容量?jì)热莸目焖傧螺d和傳送成為可能。相應地，其應用領(lǐng)域也從過(guò)去僅局限于數碼相機和個(gè)人計算機，現在可以擴展到移動(dòng)終端和數字家用設備，擴大了使用閃存存儲器作為存儲介質(zhì)的系統解決方案的應用范圍。

< 產(chǎn)品詳情 >
 
　　使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在單個(gè)芯片上配置512M字節的記錄介質(zhì)，提供的存儲能力大約相當于160分鐘的MPEG-4電影數據，大約等同于130個(gè)磁道的MP3音樂(lè )數據，或大約500張4兆象素的數碼相機相片。

　　R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結如下。

　　(1)世界上編程速度最快的4千兆位閃存存儲器（芯片），速度高達10 M字節/秒。

　　和1千兆位產(chǎn)品一樣，使用熱電子注入編程方法*3和在單個(gè)芯片內同時(shí)進(jìn)行4組編程操作，通過(guò)使用多級單元技術(shù)，實(shí)現了高達10 M字節/秒的編程速度。

　　(2)小型芯片尺寸

　　通過(guò)使用90 nm工藝和改進(jìn)的第一代AG-AND型閃存存儲器源－漏*4結構，實(shí)現了世界上最小的0.016 μm2存儲單元面積。

　　與1千兆位 AG-AND型閃存存儲器相比，每千兆位芯片面積大約縮小了三分之二。
　
　　*  源－漏結構的改進(jìn)：

　　使用了一種新結構，在A(yíng)G上加電壓時(shí)，硅襯底上形成的逆溫層*5構成了存儲單元晶體管的源和漏。在常規的擴散層*6結構中，源和漏趨向于橫向擴散，但是，由于逆溫層僅在A(yíng)G下面的襯底的極淺區域形成，因此可以縮小存儲單元的面積。

　　(3)支持加電讀出功能（2K字節大?。?/P>

　　系統加電時(shí)，不需要命令或地址輸入，通過(guò)控制兩個(gè)控制線(xiàn)（/CE 針和/RE針）就可以讀出多達2K字節的數據。

　　(4)在編程操作過(guò)程中具有高速緩沖存儲器編程功能，在擦除操作過(guò)程中，具有可編程數據輸入功能。

　　在器件編程過(guò)程中，可以對下一步2 K字節的數據進(jìn)行高速緩沖存儲器編程的功能，最多可以進(jìn)行兩次（4 K字節）。這使得系統可以很容易地分配總線(xiàn)進(jìn)行下一個(gè)任務(wù)。

– 更多 –

　　在器件擦除過(guò)程中，可以進(jìn)行一次高達2 K字節的下一步數據輸入的功能。

　　(5)NAND接口

　　在命令級，R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型閃存存儲器兼容，因此，對目前使用NAND型閃存存儲器的系統進(jìn)行很少的軟件修改，就可以使用它們。

　　電源電壓是3.3 V，使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝，與1千兆位AG-AND型閃存存儲器的封裝尺寸相同。

　　未來(lái)的計劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開(kāi)發(fā)控制器，面向高速閃存卡的應用開(kāi)發(fā)，以及開(kāi)發(fā)2千兆位AG-AND型閃存存儲器產(chǎn)品和使用新型存儲單元的1.8 V低壓產(chǎn)品。

 　　我們也計劃開(kāi)發(fā)具有兩個(gè)層迭4千兆位AG-AND型閃存存儲器的大容量8千兆位產(chǎn)品，使用新的封裝形式（WFLGA: 超細節距柵格陣列），在2004年12月將開(kāi)始高密度安裝。

< 開(kāi)發(fā)支持工具 >

　　從2004年10月起，可以購買(mǎi)功能描述模型和C 語(yǔ)言參考庫，作為使用這些閃存存儲器進(jìn)行系統設計的支持工具。

注釋?zhuān)?/P>

　　1.AG-AND型閃存存儲器單元：使用場(chǎng)隔離方法的新型存儲單元結構，包括可以防止單元間干擾的交替輔助柵和浮動(dòng)柵。通過(guò)使用小溝道電流進(jìn)行熱電子注入，實(shí)現編程，與使用淺槽隔離的方法（通過(guò)形成開(kāi)槽來(lái)隔離各個(gè)單元）相比，單元面積更小。

　　2.多級單元技術(shù)：一種適用于高密度閃存存儲器的技術(shù)，在縮小芯片尺寸方面卓有成效，它使用4個(gè)以上的值：比如00、 01、10和11，而通常的存儲器使用兩個(gè)值：0和1。使用4個(gè)值時(shí)，一個(gè)單元可以完成兩個(gè)常規單元的工作。

　　3.熱電子注入編程方法：將經(jīng)過(guò)溝道電場(chǎng)加速的高能量“熱”電子注入到浮動(dòng)柵的一種編程方法。單元的編程時(shí)間是10 μs或更少，比常規的隧道編程方法快一個(gè)數量級。

　　4.源和漏：MOS（金屬氧化物半導體）晶體管的基本組成部分。通常通過(guò)離子注入的方法，在擴散層形成源和漏。

　　5.逆溫層：對柵施加電壓時(shí)，在硅襯底的極淺區域產(chǎn)生了一個(gè)高密度電子區域。用作MOS晶體管的溝道。

　　6.擴散層：離子被注入硅襯底，通過(guò)對該區域施加電壓產(chǎn)生高密度電子。這是在MOS晶體管上形成源和漏的常用方法。

< 典型應用 >

　　用作高端數碼相機和硅器件電影設備中的大容量存儲介質(zhì)。

　　在使用高速接口如USB2.0的移動(dòng)終端中，作為大容量存儲介質(zhì)。

　　用于需要幾千兆字節存儲容量的硅器件音頻設備中。

　　硅器件便攜式閱讀器、數字電視廣播用圖像回放設備等。