用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫(xiě)壽命極限

　　一般地,EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次,超過(guò)這一極限時(shí),該單元就無(wú)法再使用了。但在實(shí)際應用中，可能有些數據要反復改寫(xiě)。這時(shí)，可通過(guò)變址尋址的方式來(lái)突破EEPROM存儲器的擦寫(xiě)壽命極限。

　　我們有一個(gè)單字節的數據要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來(lái)做：

　　1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。

　　2、將要尋址的單元地址(假設為01H)放入93C56的00H地址中。

　　3、每次要對E2PROM中的數據進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí)，先讀取00H中的數據，并以讀出的值為地址，訪(fǎng)問(wèn)其指向的單元。

　　4、在每次寫(xiě)完數據后，立即將數據再讀出，并與寫(xiě)入的地址做比較。

　　A、如果相等，則代表本次寫(xiě)入數據成功。

　　B、如果不相等，則代表本次寫(xiě)入數據失敗。這時(shí)，將00H中的值+1，讓其指向后一個(gè)新的地址單元，再將數據寫(xiě)入新的地址單元。

　　93C56共有128個(gè)字節單元，按照以上方法，可將數據的擦寫(xiě)次數提升120多倍!達到1200多萬(wàn)次!

　　對于24C16/32/64系列的芯片，也可采用這種方法。

　　補充二點(diǎn)

　　1. EEPROM單元壞與不壞界線(xiàn)很是模糊. EEPROM單元能寫(xiě)入信息是因為它的浮柵能俘獲電子并將其困在其中. 但隨著(zhù)時(shí)間的推移電子由于熱運動(dòng)或外界給予能量會(huì )逐漸逃逸, 所以說(shuō)EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年). 寫(xiě)入與擦除信息即是向浮柵注入和釋放電子,電子能量比較高,可能改變周?chē)木Ц窠Y構,導致浮柵俘獲電子能力的下降,也就是表現為保存信息的時(shí)間變短, 所以才會(huì )有一個(gè)保守的寫(xiě)入次數限制(這里說(shuō)保守是因為半導體的離散性大,實(shí)際的次數大得多). 到了規定寫(xiě)入次數并不是說(shuō)該單元就壞了, 而是說(shuō)該單元保持信息的時(shí)間已不可信賴(lài)(而實(shí)際上它可能還能保存相當長(cháng)時(shí)間甚至幾十上百年),所以實(shí)際上短時(shí)間很難判定某個(gè)單元是否可用(壞了). 如匠人的方法檢測, 寫(xiě)入時(shí)測試好好的, 可能幾秒鐘之后該單元的數就逃了.

　　2. 寫(xiě)壞一個(gè)單元是很費時(shí)間的, "這個(gè)方法，小匠使用過(guò)多次，證明是可行的。不知匠人在使用過(guò)程中是否碰到過(guò)有寫(xiě)壞的情況。