Globalfoundries表示14nm已流片, 良率沒(méi)有問(wèn)題
從AMD分離出來(lái)的Globalfoundries(格羅方德,簡(jiǎn)稱(chēng)GF)經(jīng)常被人說(shuō)成不靠譜,AMD的CPU、APU多次因GF制程問(wèn)題一波三折,前幾 天又爆出GF的14nm良率不行,進(jìn)度延期,以致于A(yíng)MD的Zen架構可能轉向TSMC的16nm FinFET。面對這樣的“負面新聞”,GF公司辟謠稱(chēng)他們的第二代14nm LPP已經(jīng)流片,性能及良率都很好,而該制程的一大客戶(hù)就是AMD。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/280870.htm前兩年GF公司放棄了自研的14nm XM制程改為直接授權三星的14nm FinFET制程,GF的14nm晶圓廠(chǎng)位于紐約州馬耳他市的Fab 8工廠(chǎng),其中又分為兩個(gè)版本,初期的是14nm LPE(low-power early)及14nm LPP(Low Power Plus,高級低功耗制程),前者主要面向低功耗處理器,而14nm LPP是第二代制程,頻率比14nm LPE高了10%。
對于14nm LPP制程的進(jìn)度,GF公司的高管Jason Gorss表示“高性能的14nm LPP預計在2015年下半年完成認證,2016年早些時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn)。”
根據GF公司所說(shuō),他們的14nm LPP制程最近已經(jīng)完成了流片驗證(雖然GF今年4月份就說(shuō)過(guò)高性能制程已經(jīng)流片了)。對集成電路研發(fā)來(lái)說(shuō),流片是設計環(huán)節中最后一個(gè)步驟,意味著(zhù)晶片已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入樣片過(guò)程。
GF公司表示“原型測試表明這些流片的樣品展示出了極好的邏輯及SRAM性能、良率,接近100%的目標。”
GF公司的14nm LPP良率、效能穩定對AMD來(lái)說(shuō)也是好事一件了,今年5月份的分析師會(huì )議上AMD確認新一代處理器及GCN架構顯卡都會(huì )升級到FinFET,而GF公司無(wú)論如何都是他們繞不過(guò)去的一個(gè)重要的晶圓代工夥伴。
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