我的一些數字電子知識總結（2）

　　1、PNP管做旁路晶體管時(shí)，雖然壓降較小，但其輸出阻抗大，需要特定的ESR的電容才能穩定，同時(shí)允許的功率耗散較小，應小心在重載條件下使用。

　　2、因為晶體管的基極電流較大，導致當晶體管做耗散管時(shí)，芯片的接地電流常常較大(幾個(gè)mA甚至數十個(gè)mA)，在電池供電的應用中，這可能會(huì )大大縮短電池的壽命!

　　3、因為線(xiàn)性穩壓器是通過(guò)消耗功率來(lái)獲得輸出電壓的穩定，功率的消耗將主要轉化為熱量，因此，當線(xiàn)性穩壓器芯片太燙的時(shí)候，一定要考慮是否在其上消耗了過(guò)多的能量。

　　4、A/D轉換器的類(lèi)型和特點(diǎn)：

　　(1)計數式 ：結構簡(jiǎn)單、原理清楚、轉換速度慢、精度低，價(jià)格低，適用于慢速系統。

　　(2)雙積分式 ：精度高、抗干擾性好，但轉換速度慢，適用于中速系統;

　　(3)逐次逼近式 ：轉換速度較快、精度較高，實(shí)際常用，但是易受干擾;

　　(4)高速并行式 ：轉換速度快，價(jià)格高。

　　5、為了充分發(fā)揮AD轉換器的分辨率，輸入量應與轉換量程相稱(chēng)。

　　例如：某A/D轉換的范圍為0--10V，輸入的模擬信號為0--5V，則應將輸入信號放大2倍，再送入A/D進(jìn)行轉換。

　　6、很多系統，特別是實(shí)時(shí)時(shí)鐘系統都是用C和匯編語(yǔ)言聯(lián)合編程。

　　7、對時(shí)鐘要求很?chē)栏駮r(shí)，使用匯編語(yǔ)言成了唯一的方法，除此之外，包括硬件接口的操作都應該用C來(lái)編程。

　　8、單片機內部的CPU、寄存器和總線(xiàn)等結構都是通過(guò)“1”和“0”兩種信號來(lái)運作的，數據也是以“1”和“0”來(lái)保存的。

　　9、一般可以使用USB取電，USB最大電流可以提供500mA，但是在實(shí)際應用中，如果實(shí)驗板使用電流超過(guò)100mA，就建議使用外部電源。

　　10、要注意節約硬件資源，也就相當于節省硬件成本，在實(shí)際項目設計中，這樣就有了成本優(yōu)勢，產(chǎn)品更具有競爭力。

　　11、所說(shuō)的反饋信號一般是交流信號，所以判斷正負反饋，就要判斷反饋信號與輸入信號的相位關(guān)系，同相為正反饋，反相為負反饋。

　　12、正反饋用于振蕩器，負反饋用于放大器。

　　13、電路中兩個(gè)信號的相位不是同相就是反向，因此若兩個(gè)信號都上升，它們一定同相;若一個(gè)信號下降而另一個(gè)信號上升，它們一定反相。

　　14、電路中取樣電阻要盡量小(比如小于1歐姆)，以便可以探測到更寬的電流。

　　15、電流監控的實(shí)質(zhì)就是電壓監控，然后將檢測到的電壓通過(guò)歐姆定律轉換成電流。在選擇電阻時(shí)應估算一下電流的大小，以免經(jīng)放大器后使其ADC達到飽和狀態(tài)。

　　16、通常，一個(gè)電子系統由多個(gè)不同的功能模塊構成，但總有一個(gè)模塊將所有模塊連接起來(lái)，完成整個(gè)電子系統的協(xié)同工作，這個(gè)模塊就是頂層模塊。

　　17、在板內或板間，距離很短的情況下，異步串口無(wú)需電平轉換，可以直接用CMOS電平進(jìn)行通信。

　　18、所有有源探頭在使用前應該有至少20分鐘的預熱，有的有源探頭和電流探頭需要進(jìn)行零點(diǎn)漂移調整。

　　19、其實(shí)測量功率因素最簡(jiǎn)單的方式就是：測量電壓與電流之間的相位差，得出的結果就是功率因素。

　　20、限流要求大幅增加輸入電阻。因此，輸入場(chǎng)效應晶體管的I2R(即損耗)在過(guò)渡點(diǎn)后急劇上升，該功率被轉換成熱量，以致必須得到有效的散熱。

　　21、PCB設計時(shí)必須留有一塊足夠大的銅區域，這樣在與散熱盤(pán)接觸時(shí)可以確保有效散熱。

　　22、D類(lèi)放大器具有超高的效率，但是有嚴重的EMI問(wèn)題，這個(gè)問(wèn)題是由于D類(lèi)放大器的開(kāi)關(guān)特性所導致的固有特性。

　　23、當輸出功率較高時(shí)，即便是只有幾英寸的喇叭連線(xiàn)，其作用就像一根天線(xiàn)，輻射出很高的能量，從而嚴重威脅著(zhù)EMI性能。

　　24、CMOS放大器經(jīng)常工作在單電源、低電壓的環(huán)境中，為了滿(mǎn)足后端電路的動(dòng)態(tài)范圍要求(如ADC的滿(mǎn)量程輸入)，通常希望運放的輸出或輸出的其中之一或兩者都能達到或接近供電電源軌，即軌到軌運放，也稱(chēng)滿(mǎn)幅運放。

　　25、傳統的軌到軌輸入CMOS運放的輸入級采用PMOS和NMOS對管使輸入能擺動(dòng)到正、負電源軌。但其最大的缺點(diǎn)就是PMOS和NMOS不能完美匹配，導致在兩者的結合處，會(huì )出現因共模抑制比下降導致的失調電壓跳變。

　　26、決定運放直流精度的參數主要有3個(gè)：

　　(1)輸入失調電壓及其漂移;

　　(2)輸入偏置電流及其漂移;

　　(3)運放的開(kāi)環(huán)增益響應與增益帶寬積。

　　27、對運放而言，當需要在最低的功耗下實(shí)現最高速度時(shí)，雙極型(Bipolar)技術(shù)能提供最優(yōu)的性能。

　　28、工業(yè)上最廣泛采用的是用4~20mA電流來(lái)傳輸模擬量。上限取20mA是因為防爆的要求：20mA的電流通斷引起的火花能量不足以引燃瓦斯。下限沒(méi)有取0mA的原因是為了能檢測斷線(xiàn)：正常工作時(shí)不會(huì )低于4mA，當傳輸線(xiàn)因故障斷路，環(huán)路電流降為0。常取2mA作為斷線(xiàn)報警值。

　　29、如果ADC在采樣和轉換時(shí)需要吸取瞬時(shí)較大的電流，可以考慮參考源和ADC間使用運放構建必要的緩沖器和濾波器。

　　30、對ADC來(lái)說(shuō)，被轉換的模擬信號是從Vin輸入，而對DAC來(lái)說(shuō)，被轉換的模擬信號是從Vref輸入。

　　31、總線(xiàn)的工作速度是與總線(xiàn)相關(guān)寄生電容和終端電阻形成的RC時(shí)間常數的函數，終端電阻越低，總線(xiàn)工作速度越快，總線(xiàn)功耗也越大。