兩個(gè)小的電路設計失誤

　　簡(jiǎn)介：今天寫(xiě)兩個(gè)電路設計失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設計者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識。

　　第一個(gè)失誤的主要原因是，設計者錯誤估算了R1的大小。其設計的值太大，導致Ib太小。

　　這里把等效的模型轉換成如下：

　　以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計算的分成兩個(gè)部分。

　　求解基極電流Ib

　　求解集電極電流Ic

　　求解放大比例

　　通過(guò)這個(gè)比例可得到三極管的狀態(tài)，如果在線(xiàn)性區，則三極管的管壓降Vce是變化的，這就導致了邏輯的問(wèn)題。這種錯誤就是，某種狀態(tài)識別不出來(lái)。

　　從某種角度來(lái)看，這其實(shí)是一個(gè)電平轉換的問(wèn)題，只不過(guò)用三極管隔離了一下而已。

　　反正我個(gè)人不推薦這種接法，因為限制太大會(huì )導致三極管欠飽和，進(jìn)入線(xiàn)性區。如果限流太小，則在高頻脈沖浪涌沖擊下會(huì )失效。

　　現在越來(lái)越多的采用專(zhuān)用接口電路來(lái)處理這種電路，不過(guò)因為可能存在直接短路到地或者電源的錯誤(ISO16750-2規定的)。因此這個(gè)問(wèn)題就很棘手了，輸入部分其實(shí)都是大問(wèn)題，因為你永遠不想在信號進(jìn)入的時(shí)候就是錯誤的。

　　原本設計的好好的電路，由于開(kāi)關(guān)的導通電阻變化，導致電路對這個(gè)參數變化起不了調節作用，因此原本有效的信號，在MCU處理過(guò)程中完全成了無(wú)效的信號了。

　　開(kāi)關(guān)導通電阻值主要取決于開(kāi)關(guān)觸頭的接觸電阻。接觸電阻值是開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)接觸工作性能的最基本參數,接觸電阻的大小直接反映開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)接觸的可靠性.

　　實(shí)際上接觸電阻隨著(zhù)開(kāi)關(guān)的老化和磨損，導通電阻是有變化的。國外的整車(chē)商都規定了開(kāi)關(guān)的最壞的導通電阻的情況，在國內一般不會(huì )考慮這個(gè)阻值(一般也無(wú)法控制的太精確。)

　　需要注意的是，現在我們看到的開(kāi)關(guān)里面的導通電阻參數，一般是通過(guò)測量開(kāi)關(guān)導通電阻值。

　　而比較正規的做法是，需要通過(guò)老化實(shí)驗，測量導通電阻，估計觸頭的磨損程度和回路的接觸情況,從而預測觸頭的壽命。(老化實(shí)驗)

　　因此設計的時(shí)候需要有足夠的余量，有兩條原則。

　　第一條，設想你可能遇到的最壞的情況，在這個(gè)條件下去設計。

　　第二條，努力保證模塊不會(huì )進(jìn)入最壞的條件模式。