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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 接觸電阻

兩個(gè)小的電路設計失誤

  • 　　簡(jiǎn)介：今天寫(xiě)兩個(gè)電路設計失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設計者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識。 　　   　　第一個(gè)失誤的主要原因是，設計者錯誤估算了R1的大小。其設計的值太大，導致Ib太小。 　　這里把等效的模型轉換成如下： 　　   　　以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計算的分成兩個(gè)部分。 　　   　　求解基極電流Ib 　　求解集電極電流Ic 　　求解放大比例 　　通過(guò)這個(gè)比例可得到三極管的狀態(tài)，如
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基于開(kāi)爾文四線(xiàn)法進(jìn)行接觸電阻的測量實(shí)例

接觸電阻的多種測量方法

  • 接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對時(shí)的電阻。這類(lèi)測量是在諸如連接器、繼電器和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個(gè)歐姆之間。根據器件的類(lèi)型和應用的情況，測量的方法可能會(huì )有所不同。AS
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半導體參數測試的關(guān)鍵問(wèn)題之一――探針的接觸電阻

  • 關(guān)鍵字：半導體參數 接觸電阻通常，參數測試系統將電流或電壓輸入被測器件（DUT），然后測量該器件對于此輸入信號的響應。這些信號的路徑為：從測試儀通過(guò)電纜束至測試頭，再通過(guò)測試頭至探針卡，然后通過(guò)探針至芯片
  • 關(guān)鍵字： 半導體  參數測試  探針  接觸電阻    

半導體參數測試的關(guān)鍵問(wèn)題之一——探針的接觸電阻

  • 通常，參數測試系統將電流或電壓輸入被測器件（DUT），然后測量該器件對于此輸入信號的響應。這些信號的路徑為：從測...
  • 關(guān)鍵字： 半導體參數  接觸電阻  

新型納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

  • 納米級電氣特性
    研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結果的影響，因為很多材料具有壓力相關(guān)性，壓力會(huì )引起
  • 關(guān)鍵字： 納米級  接觸電阻  測量  新技術(shù)    

納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

  • 納米級電氣特性
    研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結果的影響，因為很多材料具有壓力相關(guān)性，壓力會(huì )引起材料
  • 關(guān)鍵字： 納米級  接觸電阻  測量  新技術(shù)    
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接觸電阻介紹

　　----接觸，對導體件呈現的電阻成為接觸電阻。 　　一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開(kāi)關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。 應該指出， 開(kāi)關(guān)的接觸電阻是在開(kāi)關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。 　　Contact Area 接觸電阻 　　在電路板上是專(zhuān)指金手指與連接器之接觸點(diǎn)，當電流通過(guò)時(shí)所呈現的電阻之謂。為了減少金屬表面氧化 [ 查看詳細 ]

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