聯(lián)華電子與新思科技擴展14奈米FinFET伙伴關(guān)系，納入DesignWare嵌入式記憶體與測試解決方案

　　聯(lián)華電子與新思科技今(22)日共同宣布，雙方拓展合作關(guān)系，于聯(lián)華電子14奈米第二個(gè)PQV測試晶片上納入新思科技DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統測試與修復解決方案。此PQV提供了更多硅資料，可讓聯(lián)華電子進(jìn)一步微調其14奈米FinFET製程，以實(shí)現最佳化的功耗，效能與位面積表現。雙方已成功設計定案了第一個(gè)聯(lián)華電子14奈米FinFET製程PQV，包含了新思科技DesignWare邏輯庫與StarRC™ 寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool)，而此次PQV則繼續拓展伙伴關(guān)系。

　　新思科技IP暨原型建造行銷(xiāo)副總裁John Koeter指出：「新思科技與聯(lián)華電子擴展的合作關(guān)系展現了雙方共同的目標，也就是協(xié)助晶片設計公司在聯(lián)華電子製程上，將我們的DesignWare硅智財結合到其系統單晶片設計上?，F已有超過(guò)45顆FinFET測試晶片設計定案(tapeout)，新思科技將持續傾全力致力于為FinFET製程提供高品質(zhì)硅智財，使晶片設計公司能夠降低整合風(fēng)險，并加速量產(chǎn)時(shí)程?！?/p>

　　聯(lián)華電子硅智財研發(fā)暨設計支援副總王國雍表示：「除了研發(fā)業(yè)界具競爭力的14奈米製程，以滿(mǎn)足當今最尖端晶片應用產(chǎn)品的需求外，聯(lián)華電子現正致力于建構相當完整的全方位支援架構，藉此加速14奈米客戶(hù)design-in的速度。繼聯(lián)華電子與新思科技于14奈米製程上成功驗證PQV后，很高興在我們最先進(jìn)的製程上與新思科技優(yōu)質(zhì)的DesignWare硅智財繼續拓展合作。我們期待將這份伙伴關(guān)系所帶來(lái)的好處提供給雙方客戶(hù)，協(xié)助採用14奈米進(jìn)行設計的客戶(hù)，能獲得功耗，效能與成本上的優(yōu)勢?！?/p>

　　聯(lián)華電子14奈米FinFET制程已展現了卓越的128mb SRMA良率，預期于2015年底接受客戶(hù)設計定案(tape-out)。