晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化技術(shù)現狀

　　匹配封裝材料對光譜的折射率定制減反射膜以獲得最佳的實(shí)際使用效果是光伏企業(yè)技術(shù)實(shí)力的體現!如何減少電磁波對電池表面PN結輻射損傷以及損傷的有效修復是該工藝的核心技術(shù)，處理不好往往導致電池效率一致性較差。裝備方面有連續式間接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD。

　　1.5絲網(wǎng)印刷與金屬漿料技術(shù)

　　絲網(wǎng)印刷技術(shù)是低成本太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其主要技術(shù)進(jìn)步與電極漿料及網(wǎng)版制版技術(shù)緊密相聯(lián)。電極漿料技術(shù)進(jìn)步是提升電池效率的捷徑，也是一些實(shí)驗室技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化轉換的關(guān)鍵。根據電池表面擴散薄層方塊電阻、擴散結深以及表面減反射膜厚度與密度等開(kāi)發(fā)相對應的漿料已經(jīng)成為國際一流光伏企業(yè)領(lǐng)先同行的一個(gè)有力武器：如摻P的正銀漿料實(shí)現低成本的選擇性發(fā)射極技術(shù);向漿料中添加添加劑實(shí)現80～100um細柵技術(shù);配合超薄片的低翹曲背鋁漿料等等。

　　硅片厚度不斷減薄、電池面積不斷增大，如何降低碎片率與電池片的翹曲度成為設備制造廠(chǎng)商與電池制造企業(yè)共同關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題。設備方面已經(jīng)出現能適應120um厚度硅片的全自動(dòng)印刷設備。

　　2、存在的問(wèn)題

　　工藝方面：盡管太陽(yáng)能電池制造是一個(gè)短工藝生產(chǎn)流程，光伏技術(shù)與檢測手段也有了長(cháng)足的發(fā)展，但太陽(yáng)能電池工藝還不能處于完全受控的狀態(tài)。我們無(wú)法從電池的不合理電參數來(lái)準確判斷問(wèn)題具體所在，對每一工序質(zhì)量也還沒(méi)有完全行之有效的檢測方法與手段，在線(xiàn)檢測技術(shù)遠落后于工藝技術(shù)的發(fā)展!

　　設備方面：目前國內外各制造廠(chǎng)商設備缺乏統一接口標準，導致上下道工序之間無(wú)法有效銜接，導致較大的時(shí)間與資源浪費!物化新工藝的裝備滯后于市場(chǎng)的發(fā)展!

　　原材料方面：原材料市場(chǎng)特別是硅片質(zhì)量良莠不齊，許多企業(yè)缺乏自律性，導致我國光伏產(chǎn)品質(zhì)量不穩定，行業(yè)缺乏統一權威標準與準入制度。

　　3、發(fā)展展望

　　以硅片為載體的光伏電池制造技術(shù)，其理論極限效率為29%。近年來(lái)由于一系列新技術(shù)的突破，硅太陽(yáng)能電池轉換效率產(chǎn)業(yè)化水平單晶16%～18%、多晶15%～17%，按目前的晶體硅電池效率路線(xiàn)圖與電池技術(shù)，提升效率的難度已經(jīng)非常大。因此有人預言硅電池的市場(chǎng)生命周期，但產(chǎn)品市場(chǎng)生命力的決定因素是其性?xún)r(jià)比，就如半導體集成電路一樣近一個(gè)世紀了仍然離不開(kāi)硅基，晶體硅太陽(yáng)能電池作為光伏發(fā)電主要材料的現狀不會(huì )改變，市場(chǎng)主導地位將繼續延續!其特征將會(huì )是向著(zhù)高效率、大尺寸、超薄化、長(cháng)壽命方向發(fā)展。隨著(zhù)我們對半導體材料與光伏技術(shù)研究的不斷深入，必將會(huì )不斷誕生一些突破性的技術(shù)來(lái)巔覆傳統、提升太陽(yáng)能電池的效率、降低系統發(fā)電成本，實(shí)現光伏發(fā)電從補充能源向主流能源的躍進(jìn)!只是以前這些技術(shù)都由國外企業(yè)與機構產(chǎn)生?？梢灶A見(jiàn)通過(guò)中國廣大“光伏人”的努力，今后這些革命性的技術(shù)突破將會(huì )在我們中國本土企業(yè)與科研機構中產(chǎn)生!