面向智能化和物聯(lián)網(wǎng)的電源解決方案

　　所謂數字電源，是在其中加入了數字的內核(例如DSP和處理器)，有一個(gè)通信的接口和主處理器相連接，它可以和主處理器進(jìn)行雙向通信。而模擬電源使用的是模擬控制器。數字電源可能還有內存，內存事先儲存了多個(gè)預先設置的配置。和傳統的模擬的解決方案相比，它的效率更高，波紋更低，對瞬態(tài)響應速度更快。

　　Altera在其FPGA Enpirion電源解決方案中增加了30A PowerSoC DC-DC降壓轉換器。30A EM1130是其集成數字DC-DC降壓轉換器系列的第一款產(chǎn)品，為Altera的第10代FPGA提供電源管理功能，特別是Arria 10和Stratix 10 FPGA內核以及收發(fā)器電源軌。Altera公司全球業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)總監Patrick Wadden稱(chēng)，該產(chǎn)品也可以支持其他廠(chǎng)商的FPGA，還有一些高端的ASIC/SoC、嵌入式處理器、內存和SSD廠(chǎng)商等。

　　TI：組合方案可滿(mǎn)足差異化需求

　　數字電源

　　談到數字電源，德州儀器(TI)非隔離電源全球市場(chǎng)總監James MacDonald說(shuō)，數字電源的優(yōu)勢是可實(shí)現復雜的電壓調節。一般分為數字電源控制器、帶數字接口的電源穩壓器，數字電源時(shí)序器和數字熱插拔控制器等。TI的優(yōu)勢是有業(yè)內廣泛的數字電源IC產(chǎn)品組合，并且有市場(chǎng)上唯一一款PMBus負載點(diǎn)穩壓器，具有電流高達30A的集成式FET。

　　為了簡(jiǎn)化數字電源設計，近日，TI推出了數字電源BoosterPack，與TI的F28069 LaunchPad開(kāi)發(fā)套件組合使用，即可簡(jiǎn)化對降壓轉換器的控制。其集成了C28x實(shí)時(shí)處理內核以及精密控制外設的TI F2806x MCU，由9V電壓供電運行，消除了高電壓系統開(kāi)發(fā)的風(fēng)險，并由powerSUITE圖形化軟件工具提供支持，可助力功率調節器、不間斷電源、AC/DC電源和太陽(yáng)能逆變器等數字應用。

　　寬Vin DC/DC轉換器

　　另外，TI還在模擬電源技術(shù)上不斷突破，包括兩款新的寬Vin(輸入電壓) DC/DC轉換器。具體地，支持Fly-Buck™ 功能的65V同步降壓轉換器號稱(chēng)業(yè)內首款，它在無(wú)需光耦合器(因無(wú)需光耦，因此英文是“Fly”)的情況下，仍可提供高達15W的隔離式偏置電源。作為Fly-Buck電源產(chǎn)品組合的部件之一，LM5160A提升了功率密度，并且以更高效和可靠的方式解決了工業(yè)和汽車(chē)應用中較高的功率需求。例如，LM5160A轉換器特有無(wú)需環(huán)路補償的恒定接通時(shí)間控制，并用快速瞬變響應支持高降壓比。此外，相對于傳統反激式解決方案，這款轉換器也簡(jiǎn)化了設計工作。

　　零待機功耗：適合75W AC電源的PSR

　　電源適配器插在插座上，即使沒(méi)有給手機、平板電腦等用電器充電，仍在耗電。因此，在高功率AC/DC電源的低待機功耗PSR(初級側穩壓)方案方面，現有初級側穩壓電源的主要設計局限在于：如何在保持低待機功率的情況下仍然保證較高的瞬變響應性能。為此，TI推出了業(yè)內首款可應用于75W功率的AC/DC反激式電源的零待機功耗控制器芯片集，待機功耗堪稱(chēng)業(yè)內最低。新的UCC28730初級側穩壓 (PSR) 反激式控制器具有700V啟動(dòng)開(kāi)關(guān)和UCC24650喚醒監視器，可將電源效率提升到全新水平。它還支持5~24V輸出電壓，能夠幫助設計人員為電視、家用電器、AC適配器、通風(fēng)供熱和空調系統 (HVAC)，以及樓宇自動(dòng)化系統創(chuàng )造更小巧、更高效的電源。

　　首款采用QFN封裝的GaN半橋功率級

　　GaN被稱(chēng)為第三代半導體材料，相比于第一代Si和第二代GaAs等，GaN的優(yōu)勢是可以最大限度地提高功率密度。但是，過(guò)去基于GaN的電源設計面對的一大挑戰是與驅動(dòng)GaN FET有關(guān)的不確定性，以及由封裝方式和設計布局布線(xiàn)所導致的寄生效應。為此，TI近日發(fā)布了業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊LMG5200，是全集成GaN FET功率級原型機，可幫助電源設計人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢。此次原型機由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內的一個(gè)高頻驅動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計，為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。

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