2014年中國半導體十件大事

　　6.中芯深圳廠(chǎng)投產(chǎn)　芯片制造進(jìn)一步提速

　　中芯國際集成電路有限公司12月17日宣布其在深圳的8英寸晶圓廠(chǎng)正式投產(chǎn)。該廠(chǎng)今年年底前將達到每月1萬(wàn)片的裝機產(chǎn)能，在2015年達到每月2萬(wàn)片，全部產(chǎn)能規劃為每月4萬(wàn)片。中芯國際深圳8英寸廠(chǎng)是中國華南地區第一條投入使用的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)，如果該項目運作成功意味著(zhù)中芯國際在華南地區完成了設點(diǎn)，其在中國大陸的整體布局也將進(jìn)一步完善。同時(shí)，中芯國際成功制造28nm Qualcomm驍龍410處理器，明年上半年上海廠(chǎng)和北京廠(chǎng)都會(huì )進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　點(diǎn)評：這幾年中芯國際的步子邁得很穩，在先進(jìn)工藝取得進(jìn)展的同時(shí)，又在華南落子布局。通過(guò)這些布局，中芯國際一步步追趕與國際先進(jìn)水平間的距離。

　　7.投資13.5億美元　聯(lián)電參股廈門(mén)晶圓廠(chǎng)

　　聯(lián)電董事會(huì )10月通過(guò)與廈門(mén)市政府及福建省電子信息集團簽訂參股協(xié)議書(shū)，聯(lián)電集團將通過(guò)參股方式，從2015年起的5年內投資約13.5億美元，參股新建于廈門(mén)的半導體12英寸晶圓廠(chǎng)。聯(lián)電表示，此次參股的12英寸晶圓廠(chǎng)，最快將于2016年量產(chǎn)，初期以55納米及40納米制程切入，主要從事晶圓代工，鎖定通信、信用卡、銀聯(lián)卡等芯片應用，規劃最大月產(chǎn)能為5萬(wàn)片。

　　點(diǎn)評：隨著(zhù)中國大陸集成電路制造業(yè)的崛起，我國臺灣代工廠(chǎng)“西進(jìn)”的步伐將加快，只有如此才能在快速增長(cháng)的中國大陸龐大市場(chǎng)商機中分得一杯羹。

　　8.華為、展訊新品頻發(fā)　移動(dòng)通信成IC突破口

　　2014年中國移動(dòng)通信芯片廠(chǎng)商新品頻發(fā)，不斷拉近與國際先進(jìn)水平距離。華為海思最新發(fā)布的麒麟620智能手機芯片，采用全新ARMv8-A指令集，基于28nm工藝制造。展訊也在4G芯片領(lǐng)域不斷發(fā)力，不僅推出了3模LTE調制解調器SC9620，支持 3GPP R9協(xié)議Category 4級別，而且支持5模制式的SC9830也有望于年底上市。聯(lián)芯科技也推出了4G LTE芯片LC1860，采用28nm工藝，完整覆蓋TD-LTE、LTE FDD、TD-SCDMA、WCDMA和GGE等5種模式和13個(gè)頻段。

　　點(diǎn)評：中國不僅是全球最大的手機制造基地，也是最主要的智能手機市場(chǎng)，它的成長(cháng)，有力地支撐了中國本土移動(dòng)通信芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，有望成為中國IC設計行業(yè)起飛的突破口。

　　9.北斗導航突破應用瓶頸　首顆40納米Soc誕生

　　上海北伽導航科技有限公司發(fā)布北斗導航芯片“航芯一號”，采用40nm SoC工藝，是北斗多模射頻基帶一體化的芯片，將于明年量產(chǎn)，進(jìn)入中興等品牌手機，并將逐步進(jìn)入平板電腦、可穿戴設備、車(chē)載導航等設備，使百姓能用到更多的北斗導航產(chǎn)品。

　　點(diǎn)評：這標志著(zhù)我國北斗導航產(chǎn)業(yè)大規模應用瓶頸得到突破。北斗導航芯片國產(chǎn)化提速，對促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)北斗消費意義重大。

　　10.首批國產(chǎn)8英寸IGBT　達國際先進(jìn)水平

　　繼國內首條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)在南車(chē)株洲投產(chǎn)后，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊，在昆明地鐵車(chē)輛段完成段內調試，并穩定運行1萬(wàn)公里，各項參數指標均達國際先進(jìn)水平，顯示IGBT芯片達國際先進(jìn)水平。2008年，南車(chē)時(shí)代電氣成功并購英國丹尼克斯半導體公司。2012年，株洲所投資15億元，在株洲建設起國內第一條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)，并于今年6月正式投產(chǎn)。今年10月，自主IGBT模塊成功通過(guò)功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線(xiàn)城軌車(chē)輛上。

　　點(diǎn)評：作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰略中不可或缺。但是，國內IGBT技術(shù)起步較晚，發(fā)展艱難而緩慢。上述成績(jì)的取得標志著(zhù)我國功率半導體業(yè)取得了良好的開(kāi)端。