ABI Research：2019年微波射頻市場(chǎng)規模超3億

　　市場(chǎng)研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場(chǎng)的研究。研究顯示，隨著(zhù)4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開(kāi)銷(xiāo)將持續增長(cháng)。ABI Research預計，微波射頻半導體市場(chǎng)規模有望在2019年之前超過(guò)3億美元。點(diǎn)到點(diǎn)通信、衛星通信、各種雷達和新型工業(yè)/醫療應用都將從這些大功率GaN器件的應用中獲益。

　　“當砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時(shí)候，GaN器件將促進(jìn)增長(cháng)?！盇BI研究公司市場(chǎng)調研總監Lance Wilson表示，“GaN器件能在更高電壓和功率下工作，而這是GaAs器件所難以實(shí)現的?！?/p>

　　除了上述領(lǐng)域的應用之外，微波GaN器件終于達到了能對行波管構成嚴峻挑戰的性能水平，這將使歷史上使用后者的領(lǐng)域能夠進(jìn)行新的設計。

　　“微波射頻功率半導體”是指輸出功率超過(guò)3瓦、工作頻率在4～18GHz的微波射頻功率半導體器件。該研究是ABI Research不斷跟蹤射頻功率工業(yè)領(lǐng)域主要變化的成果。

　　該研究涉及對六個(gè)主要領(lǐng)域(C波段GaAs器件、C波段GaN器件、X波段GaAs器件、X波段GaN器件、Ku波段GaAs器件、Ku波段GaN器件)以及28個(gè)應用子領(lǐng)域的分析。