無(wú)NAND之地：閃存無(wú)法占領(lǐng)數據中心？

　　SSD整體出貨容量與磁盤(pán)間的差距正逐步拉大。

　　著(zhù)眼于全球范圍，SSD的生產(chǎn)與出貨能力仍然遠遠落后于磁盤(pán)驅動(dòng)器的生產(chǎn)與出貨能力。分析企業(yè)尼古拉斯公司利用其自有與Gartner展望結論，就這兩類(lèi)存儲方案在2018年的整體容量作出以下預測。

　　閃存代工成本的基礎水平至少為150億美元，如此規模的投入金額更像是國家級別的基礎設施建設項目、而非企業(yè)能夠負擔的制造設施支出。舉例而言，英國連接倫敦與伯明翰之間的HS2高鐵也僅僅為160億英鎊(約合250億美元)——去年六月這一金額被修正為220億美元(約合340億美元)。

　　除非能夠找到萬(wàn)無(wú)一失的盈利手段同，否則沒(méi)有哪家企業(yè)愿意承擔如此沉重資金壓力做出這樣的決定。而DRAM與NAND業(yè)界的以往盈利表現只能用傷痕累累來(lái)形容，因此從業(yè)企業(yè)在對待資金投入時(shí)更需要格外小心。

　　而真正的大問(wèn)題還在于每GB使用成本方面。以疊瓦式、TDMR(即二維磁記錄)以及HAMR(即熱輔助磁記錄)為代表的新型磁盤(pán)技術(shù)正進(jìn)一步提高磁盤(pán)驅動(dòng)器中單一碟片的存儲密度，從而以超越NAND技術(shù)的迅猛態(tài)勢實(shí)現每GB使用成本削減。

　　NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì )給制造流程帶來(lái)巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現有使用壽命——具體而言，在每天寫(xiě)滿(mǎn)一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。從以上圖表可以明確看到，3D NAND這種將單元層彼此堆疊的實(shí)施方式并不能為SSD的容量帶來(lái)足以與市場(chǎng)匹配的提升速度，而每GB使用成本的下降節奏也有些遲緩——與此同時(shí)，磁盤(pán)容量上限卻在不斷突破。

　　只需經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單計算，我們就能發(fā)現SSD容量增速要想在2018年跟上磁盤(pán)的發(fā)展節奏，那么屆時(shí)閃存代工能力需要達到現有水平的八倍左右。假設具體涉及二十套代工基礎設施，則意味著(zhù)整個(gè)行業(yè)需要投入3000億美元——而這還僅僅是初步估計。真正的數字甚至有可能達到5000億美元上下。

　　這種情況很明顯不會(huì )出現。因此我們可以確定，數據中心存儲容量依然需要以磁盤(pán)為主導，直到固態(tài)半導體制造技術(shù)能夠具備遠低于當前的生產(chǎn)成本水平。