安森美半導體推出新類(lèi)的CCD圖像傳感器，重新定義微光成像性能

　　推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出新類(lèi)的電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器技術(shù)，為工業(yè)市場(chǎng)的微光成像樹(shù)立新的基準。

　　這新技術(shù)結合安森美半導體領(lǐng)先業(yè)界的行間轉移(Interline Transfer, IT) CCD像素設計及新開(kāi)發(fā)的電子倍增(Electron Multiplication, EM)輸出結構，使圖像傳感器方案能夠提供亞電子(sub-electron)噪聲性能及CCD級圖像品質(zhì)和均勻性，用于極微光成像。KAE-02150是首款采用新技術(shù)的圖像傳感器，能在日光到星光、高光到背光等差異很大的光照條件下捕獲1080p(1920 x 1080)視頻，因而大幅拓展單攝像頭成像系統的成像能力。這在極缺乏光照的應用中尤為有用，如監控、防衛/軍事、科學(xué)及醫療成像、智能交通系統。

　　安森美半導體圖像傳感器業(yè)務(wù)部副總裁Chris McNiffe說(shuō)：“KAE-02150圖像傳感器是我們首款充分利用新的行間轉移EMCCD技術(shù)的器件，為業(yè)界提供了一款革命性的方案。CCD器件的優(yōu)異圖像品質(zhì)及均勻性擴展至極微光條件，使工業(yè)市場(chǎng)的客戶(hù)能在最有難度成像條件下獲得全新的性能水平。這明顯展示了安森美半導體獨一無(wú)二的能力，能充分利用公司不斷擴增的成像技術(shù)，為客戶(hù)提供最先進(jìn)的成像方案。”

　　KAE-02150采用創(chuàng )新的輸出電路設計，用于同一圖像內以逐一像素為基礎利用傳統CCD(低增益)或EMCCD(高增益)輸出，支持高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)成像。各個(gè)單獨像素的電荷被測量，信號電平與拍照系統中用戶(hù)可選擇的閾值比較，以確定各個(gè)電荷包(packet)的路由位置。場(chǎng)景中極微光照區域的像素可以選擇性地路由至EMCCD輸出，而圖像中明亮區域的像素(通?？赡軙?huì )使EMCCD寄存器飽和及使圖像失真)，會(huì )路由至傳統CCD輸出放大器。有了這種場(chǎng)景內可切換增益特性，兩種輸出的信號因而可以重新組合，使單個(gè)攝像頭能夠恰當地在暗視場(chǎng)中呈現明亮的區域，能夠提供變化光照條件下的動(dòng)態(tài)補償，如前照燈進(jìn)入或離開(kāi)微光的場(chǎng)景。

　　新的KAE系列器件基于TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平臺已證明行之有效的性能。這IT-CCD平臺帶有全局快門(mén)、優(yōu)異圖像均勻性、高調制傳遞函數(MTF)，用于當今100萬(wàn)像素至2,900萬(wàn)像素的寬廣陣容器件。KAE系列將會(huì )擴充，加入額外的光學(xué)格式、分辨率及像素大小。

　　KAE-02150現已提供樣品，具備單色及拜耳色彩配置。2014年底前還將提供包含硬件及軟件的評估套件，使客戶(hù)能夠針對他們特定應用鑒定這新器件的性能。

　　VISION Trade Fair

　　KAE-02150圖像傳感器將于2014年11月4日至6日在德國斯圖加特2014 VISION展覽會(huì )上的安森美半導體展位(1C82)上展示。

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