中芯國際推38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶(hù)生產(chǎn)NAND產(chǎn)品的代工廠(chǎng)。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿(mǎn)足特殊存儲器無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對高質(zhì)量、低密度NAND閃存持續增長(cháng)的需求，使中芯國際占據該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　NAND閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領(lǐng)域?？蛻?hù)也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設接口(SPI)NAND市場(chǎng)的發(fā)展以及不斷增長(cháng)的IoT相關(guān)產(chǎn)品的應用。此次中芯國際成功推出38納米NAND閃存技術(shù)，能夠幫助客戶(hù)滿(mǎn)足中國及全球市場(chǎng)對此技術(shù)的需求。

　　中芯國際技術(shù)研發(fā)執行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國際已開(kāi)發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊NOR閃存平臺。經(jīng)過(guò)研發(fā)團隊專(zhuān)注及系統的努力，我們成功推出了38納米NAND閃存，在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展，也為后續開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的2x/1x納米及3DNAND閃存奠定了穩固的基礎。我們將繼續努力推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的開(kāi)發(fā)，以滿(mǎn)足無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對高質(zhì)量標準的要求。”

　　中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶(hù)及合作伙伴，都具有重大的戰略性意義。對客戶(hù)來(lái)說(shuō)，中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的決心和能力。此外，還證明中芯國際有足夠的實(shí)力在精心選擇的細分市場(chǎng)確立領(lǐng)導地位。”

　　關(guān)于中芯國際

　　中芯國際集成電路制造有限公司，是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內地規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶(hù)提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm晶圓廠(chǎng)和一座200mm超大規模晶圓廠(chǎng);在北京建有一座300mm超大規模晶圓廠(chǎng)，一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)正在開(kāi)發(fā)中;在天津建有一座200mm晶圓廠(chǎng);在深圳正開(kāi)發(fā)一個(gè)200mm晶圓廠(chǎng)項目。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區設立營(yíng)銷(xiāo)辦事處、提供客戶(hù)服務(wù)，同時(shí)在香港設立了代表處。