冷靜對待GaN工藝技術(shù)，無(wú)線(xiàn)基礎設施應用須謹慎

ABI研究公司一位研究人員表示，對于那些通過(guò)氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)并生產(chǎn)設備的廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，無(wú)線(xiàn)基礎設施領(lǐng)域所需的RF功率半導體可能并不是他們最好的機會(huì )。

除了一些軍事應用和微波通信，GaN主要用于移動(dòng)無(wú)線(xiàn)基礎設施和WiMAX。但是ABI Research公司董事Lance Wilson卻表示，這個(gè)對價(jià)格極度敏感的領(lǐng)域，可能并不適合GaN。

Wilson表示：“與傳統放大器電路里的Si LDMOS相比，GaN雖然是新技術(shù)，設備成本卻是其最大的致命傷。”雖然GaN的價(jià)格可能會(huì )慢慢下降，并最終克服這一問(wèn)題，但是卻永遠無(wú)法與Si LDMOS的價(jià)格相抗衡，因為它從本質(zhì)上就是比Si LDMOS要貴。

Wilson指出：“盡管GaN可能會(huì )實(shí)現超級性能，但這也不能為之增添多少砝碼。在移動(dòng)無(wú)線(xiàn)基礎設施領(lǐng)域，GaN和Si LDMOS在價(jià)格和性能上始終都是勢均力敵。GaN可能在今后幾年會(huì )在移動(dòng)基礎設施所需的RF功率放大器的市場(chǎng)上攻下一些地盤(pán)，但絕不可能只手遮天。”而且，在GaN市場(chǎng)上湊熱鬧的人太多了，將來(lái)至少會(huì )有一半的人知難而退，或者忍痛割?lèi)?ài)。

但是，Wilson也強調說(shuō)，GaN前景依然讓人看好。在4 GHz以上的頻率，Si LDMOS的性能無(wú)法觸及，因此GaN將幾乎統治所有高功率市場(chǎng)。

他說(shuō)，Eudyna Devices和東芝就非常聰明地將其GaN產(chǎn)品的目標對準4 GHz以上的微波市場(chǎng)，這將給其帶來(lái)相當大的收益。