電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇(二)

　　1、輸出電感的選擇實(shí)際的最小電感值是在某些最小負載情況下使電感電流正好保持在連續導通邊緣的那個(gè)電感值。標準做法是在標稱(chēng)電流的15%~35%之間選擇一個(gè)比較小的電流。在輕負載情況下，控制器可以自動(dòng)切換到滯后模式，以維持高效率。下面的等式有助于選擇合適的輸出濾波電感L1和L2：

　　I=2×IMIN=VOUT/ESR

　　其中I為電感紋波電流，VOUT是允許的最大紋波電壓。

　　L=[(VIN－VOUT)/(FSW×I)]×(VOUT/VIN)這里FSW為開(kāi)關(guān)頻率。

　　2、輸出電容選擇在一個(gè)開(kāi)關(guān)電源中，輸出電容C6和C8有兩個(gè)主要作用。與電感配合，輸出電容對開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的脈沖序列進(jìn)行濾波，為負載提供瞬態(tài)電流。對輸出電容的要求取決于ESR、電感紋波電流(DI)和允許的紋波電壓(DV)。輸入電容選擇輸出電容應該根據額定RMS電流來(lái)選擇。在DDR模式，VTT電源輸入由VDDQ輸出提供，這樣VDDQ轉換器負載電流就產(chǎn)生了輸入電容紋波電流，此RMS輸入電流為：

　　IRMS=IOUT(MAX)√D-D2

　　其中，D為PWM1轉換器占空比，D＝VOUT/VIN。C9與C1并聯(lián)，用來(lái)過(guò)濾高頻源阻抗，一般在輸入端接一個(gè)小陶瓷電容器。

　　3、電源MOSFET選擇MOSFET的損耗是其開(kāi)關(guān)(PSW)損耗和傳導(PCOND)損耗之和。在典型應用中，FAN5236轉換器輸出電壓低于輸入電壓，這樣在每個(gè)周期的大部分時(shí)間，低端MOSFET(Q2)在傳導全部負載電流，Q2的選擇應該使傳導損耗降到最小，因此應該選擇低RDS(導通狀態(tài))MOSFET。

　　相反，高端MOSFET(Q1)的占空比要小得多，這就減小了傳導損耗的影響，但鑒于其占開(kāi)關(guān)損耗的大部分，所以Q1選擇的首要標準應該是門(mén)電荷。

　　4、布線(xiàn)考慮如果沒(méi)有遵守電路布局的約束，即使在正常工作狀態(tài)，開(kāi)關(guān)轉換器也會(huì )產(chǎn)生顯著(zhù)的環(huán)路干擾和電磁干擾。在DC-DC轉換器中存在兩組關(guān)鍵的器件。以高速率處理大量電能的開(kāi)關(guān)電源組件是噪聲的根源。負責提供偏壓和反饋功能的小功率元件對噪聲非常敏感，因此建議使用多層PCB。指定一個(gè)平面層為地層。指定另一個(gè)平面層為電源層，并將該層按照電壓大小分割成幾個(gè)小孤島。有關(guān)細節請參考FAN5236數據表。

　　本文小結

　　多年發(fā)展趨勢都是如此，即消費者將需要越來(lái)越大的存儲器來(lái)運行更大的軟件。在如英特爾公司服務(wù)器主板這樣的系統中已經(jīng)設計了大容量的DDRx存儲器，有些系統的存儲容量達到16GB。要給這樣的系統供電，已降低功耗的第一代DDR功率仍無(wú)法滿(mǎn)足要求，因此必須轉向DDR2存儲器技術(shù)。

　　雖然目前剛到達DDR2生命周期的高峰，業(yè)界已經(jīng)在為下一代存儲器技術(shù)DDR3而忙碌。盡管預計DDR3到2006年才會(huì )上市，三星等廠(chǎng)商已經(jīng)推出了512MbDDR3DRAM芯片樣品，其速度提高到了1066Mbps，而電源電壓降到1。5V。