Silego推出28mΩ靜態(tài)電流超低的P通道Green FET3負載開(kāi)關(guān)

　　2014年3月12日Silego于美國加州圣克拉拉推出SLG59M1557-一款電阻為28 mΩ并且靜態(tài)電流超低的P通道GreenFET3™ 負載開(kāi)關(guān)。此款產(chǎn)品采用的是silego專(zhuān)有的亞微米銅裝CuFET技術(shù)。并且可在導通或斷開(kāi)時(shí)實(shí)現0.1uA標準電流以及1uA 最大靜態(tài)電流。同時(shí)針對ON pin腳還具有一個(gè)便于系統MCU無(wú)需任何離散的邏輯或電平轉換部件便可直接啟動(dòng)或斷開(kāi)負載開(kāi)關(guān)的集成的電壓轉換功能。

　　Silego市場(chǎng)部總監Jay Li提到，“低靜態(tài)電流以及集成的電壓轉換功能是類(lèi)似穿戴式電子以及超低電源攜帶電子應用中比較理想的應用功能。該器件可在電源損耗以及電路板空間節省方面達到世界級水平。相比目前市場(chǎng)上的工作電壓僅達到3.6 V的產(chǎn)品，SLG59M1557V1.5 V 至5.5 V的電壓范圍涵蓋了整個(gè)單節鋰電池電壓范圍。”

　　該款產(chǎn)品的第一版本采用的是STDFN封裝技術(shù)(1.0x1.0x0.55 mm)。STDFN封裝技術(shù)具有極好的機械保護功能。它可直接焊接到PCB板或者無(wú)須使用PCB板填充的軟電纜上。在生產(chǎn)與最終使用時(shí)，STDFN封裝技術(shù)的機械壓力強度相對WLCSP封裝較高。該技術(shù)對那些頻繁摘下穿戴式電子的用戶(hù)尤為重要。

　　59M1557 同時(shí)也可采用silego專(zhuān)有Lo-ZTM ETDFN封裝技術(shù)，由此可降低STDFN封裝的最大高度由0.50 mm降至 0.3 mm。詳情請聯(lián)系Silego。

　　SLG59M1557V 特點(diǎn):

　　· 1.0x1.0 mm 封裝

　　· VD: 1.5 V 至5.5 V

　　· IDD: 0.1uA 標準電流

　　· 集成的電平轉換以及VIL控制

　　· 集成的放電電阻

　　目標應用:

　　· 穿戴式電子

　　· 智能手機與平板

　　· 極低功率運算系統的電源切換

　　· 空間極端受制以及靈活電路