MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

實(shí)際過(guò)程中，由于Coss影響，大部分電流從MOSFET中流過(guò)，流過(guò)Coss的非常小，甚至可以忽略不計，因此Coss的充電速度非常慢，電流VDS上升的速率也非常慢。也可以這樣理解：正是因為Coss的存在，在關(guān)斷的過(guò)程中，由于電容電壓不能突變，因此VDS的電壓一直維持在較低的電壓，可以認為是ZVS，即0電壓關(guān)斷，功率損耗很小。

同樣的，在開(kāi)通的過(guò)程中，由于Coss的存在，電容電壓不能突變，因此VDS的電壓一直維持在較高的電壓，實(shí)際的功率損耗很大。

在理想狀態(tài)的工程簡(jiǎn)化方式下，開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗基本相同，見(jiàn)圖1中的陰影部分。而實(shí)際的狀態(tài)下，關(guān)斷損耗很小而開(kāi)通損耗很大，見(jiàn)圖3中的陰影部分。

從上面的分析可以看出：在實(shí)際的狀態(tài)下，Coss將絕大部分的關(guān)斷損耗轉移到開(kāi)通損耗中，但是總的開(kāi)關(guān)功率損耗基本相同。圖4波形可以看到，關(guān)斷時(shí)，VDS的電壓在米勒平臺起始時(shí)，電壓上升速度非常慢，在米勒平臺快結束時(shí)開(kāi)始快速上升。

圖4 非連續模式開(kāi)關(guān)過(guò)程中波形

Coss越大或在DS極額外的并聯(lián)更大的電容，關(guān)斷時(shí)MOSFET越接近理想的ZVS，關(guān)斷功率損耗越小，那么更多能量通過(guò)Coss轉移到開(kāi)通損耗中。為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側續流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導通，然后續流的同步MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期是0電壓的開(kāi)關(guān)ZVS，開(kāi)關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。

注意到圖1是基于連續電流模式下所得到的波形，對于非連續模式，由于開(kāi)通前的電流為0，所以，除了Coss放電產(chǎn)生的功耗外，沒(méi)有開(kāi)關(guān)的損耗，即非連續模式下開(kāi)通損耗為0。但在實(shí)際的檢測中，非連續模式下仍然可以看到VGS有米勒平臺，這主要是由于Coss的放電電流產(chǎn)生的。Coss放電快，持續的時(shí)間短，這樣電流迅速降低，由于VGS和ID的受轉移特性的約束，所以當電流突然降低時(shí)，VGS也會(huì )降低，VGS波形前沿的米勒平臺處產(chǎn)生一個(gè)下降的凹坑，并伴隨著(zhù)振蕩。