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MOSFET的諧極驅動(dòng)

作者： 時(shí)間：2012-03-15 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏
5．實(shí)驗結果

　 按圖4（a）進(jìn)行實(shí)驗 M2驅動(dòng)管用ZETEX公司的ZXMD63C02X 其N(xiāo)溝道源漏極通態(tài)阻抗為0.13歐，P溝道源漏極通態(tài)阻抗為0.27歐。M1 主開(kāi)關(guān)管用Vishay Sliconix公司的Si7442DP，源漏極通態(tài)阻抗為2.6毫歐，門(mén)極阻抗為1.2歐。當LR=470nH時(shí)，實(shí)驗波形如圖4（b）所示，第一個(gè)波形D是功率MOS管的占空比驅動(dòng)波形，第二個(gè)是諧振電感LR的波形，第三個(gè)是MOS管源極和柵極的電壓。這些波形和圖3的波形基本一樣。最后一個(gè)波形是驅動(dòng)的損耗，并用選擇不同的電感進(jìn)行比較得出的結果，選擇合適的諧振電感可以有效降低驅動(dòng)損耗。

　　　　　　　　　
5 結論
隨著(zhù)PWM開(kāi)關(guān)頻率的提高，一個(gè)很小的電感可以用在現在的諧振電路上，使得把諧振驅動(dòng)電路做成集成電路成為可能。而軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展使得主開(kāi)關(guān)管得開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步減小，在小功率的電源中開(kāi)關(guān)管的驅動(dòng)損耗將會(huì )成為不可忽略的損耗之一。要進(jìn)一步提高電源效率，驅動(dòng)損耗不能忽略，相信諧振技術(shù)將會(huì )在驅動(dòng)芯片中廣泛應用。

參考文獻
[1] 楊勇 “如何降低MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗”電工技術(shù)雜志 1995 （4）　31-33
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[4]B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits. New York:McGraw-Hill, 2001, pp. 166–169.
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關(guān)鍵詞： DC\DC轉換器 功率MOSFET 脈寬調制 諧振變換器

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