硅片質(zhì)量對太陽(yáng)能電池性能的影響
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時(shí)間：2012-05-25
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如圖3、4所示，鋸痕、臺階和厚薄不均片的碎片率、電極不良率和總報廢與不良率均明顯高于正常硅片，其中總報廢與不良率比正常硅片高了4%-10%。
圖3各種不良硅片電池生產(chǎn)對比圖
圖4各種不良硅片組件生產(chǎn)對比圖
硅片的表面沾污對太陽(yáng)能電池性能的影響
圖5手指印造成的硅片表面沾污，在制絨過(guò)程中，會(huì )出現如異常
圖6原始硅片未清洗干凈，表面有有機油污污染或清洗液殘留等造成的硅片表面沾污，在制絨過(guò)程中，會(huì )出現異常
圖7硅片表面因為有油污等存在，制絨后未能長(cháng)出金字塔結構的絨面
圖8由于原始硅片手指印和有誤的存在，在制絨過(guò)程中無(wú)法去除，在PECVD工序會(huì )引起色斑
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