目前，隨著(zhù)便攜式電子產(chǎn)品的正向輕量化、超小型化，鋰離子電池得到了廣泛應用，比較常見(jiàn)的正極材料為鈷酸鋰和錳酸鋰的鋰離子電池，還有磷酸鐵鋰電池和磷酸鐵錳電池等。 鋰離子電池以其能量高、壽命長(cháng)、無(wú)記憶性、無(wú)污染等特點(diǎn)在電池行業(yè)名列前茅。但是鋰離子電池和其他很多類(lèi)型的電池一樣也很容易出現過(guò)充電、過(guò)放電等現象， 這些情況對鋰離子電池更容易造成損害， 從而縮短使用壽命。所以要求鋰電池充電應具有一級保護功能?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/227785.htm

國內目前還出現這種電池保護的核心技術(shù)， 本文設計了一種鋰離子電池充電保護電路， 此保護電路的電壓、電流源基于耗盡型工藝設計， 便于實(shí)現低功耗。另外此保護電路的供電電壓來(lái)源于電池電壓， 所以要求此保護芯片在電池電壓變化范圍（1~8 V） 內正常工作。本文設計的保護電路以低功耗、高精度、高能量密度、高內阻、高安全性等特性脫穎而出，因此這種鋰離子電池保護電路的應用得到了普及?！　?/p>

1 系統結構的設計

此芯片是單節電池的保護電路并且過(guò)電壓、過(guò)電流的檢測延遲時(shí)間是可改變的， 其系統設計框圖如圖1 所示， 芯片設計VDD、VSS、DP、CO、DO、VM 6 個(gè)引腳。通常情況下， 即電池沒(méi)發(fā)生過(guò)充電、過(guò)放電事件時(shí)， CO、DO 都為高電平， DP 端子懸空， 圖1 中右半部分的6 個(gè)MOSFET是耐高壓管。

工作原理是通過(guò)監視連接在VDD 和VSS 之間的電池電壓及VM 和VSS 之間的電壓差控制充電器的充電和放電?！　?/span>

1.1 通常狀態(tài)的設計　　

如圖1 所示， 通常狀態(tài)下， 即電池電壓在過(guò)放電檢測電壓（VDL） 以上且在過(guò)充電檢測電壓（VCU） 以下， VM 端子的電壓在充電器檢測電壓（VCHA） 以上且在過(guò)電流1 檢測電壓以下的情況下，設計振蕩器模塊不工作， 充電控制用MOSFET 和放電控制用MOSFET 的兩方均打開(kāi)。這時(shí)可以進(jìn)行自由的充電和放電?！　?/p>

1.2 過(guò)電壓檢測的設計　　

當電池出現過(guò)充電時(shí)， 過(guò)充比較器跳變， 過(guò)充電檢測電壓VCU 從H 變成L, 經(jīng)過(guò)過(guò)充電檢測延遲時(shí)間后， 禁止電池充電。同時(shí)， 電路的輸出TCU 為H, 經(jīng)過(guò)一個(gè)反饋電路使過(guò)充電比較器的輸入電壓升高， 所以電池電壓必須下降更多才能使比較器輸出變?yōu)镠.這就實(shí)現了過(guò)充電滯后電壓的設計過(guò)程?！　?/p>

當電池過(guò)放電時(shí)， 過(guò)放電檢測電壓VDL 從H 變?yōu)長(cháng), 經(jīng)過(guò)時(shí)間TDL 后， 禁止電池放電。此時(shí)， 通過(guò)0 V 充電禁止模塊使VM 升高， 從而五個(gè)比較器的使能端SD 跳變?yōu)闊o(wú)效狀態(tài)， 此時(shí)電路中的五個(gè)比較器都不工作， 而且振蕩器也不工作， 電路進(jìn)入休眠狀態(tài)。當VM 降低使SD 再次發(fā)生改變時(shí)， 電路解除休眠狀態(tài)。休眠狀態(tài)的電流不能超過(guò)100 nA?！　?/p>

1.3 過(guò)電流檢測的設計　　

當VM 端子電壓大于過(guò)電流1 檢測電壓， 并且這個(gè)狀態(tài)在過(guò)電流1 檢測延遲時(shí)間以上時(shí)， 關(guān)閉放電用的FET 從而停止放電?！　?/p>

當VM 端子電壓大于過(guò)電流2 檢測電壓， 并且這個(gè)狀態(tài)在過(guò)電流2 檢測延遲時(shí)間以上時(shí)， 關(guān)閉放電用的FET 從而停止放電?！?span style="text-indent: 2em; ">通過(guò)不同環(huán)形振蕩器的振蕩頻率， 調整過(guò)電流的檢測延遲時(shí)間的長(cháng)短， 可及時(shí)停止放電。

2 關(guān)鍵電路的實(shí)現　　

本文從低功耗、低成本、寬工作電壓范圍等考慮， 提出基于耗盡型工藝的獨特設計方法?！　?/p>

基準電壓源電路、過(guò)充過(guò)放遲滯電路、0 V 充電禁止電路、振蕩器電路在整個(gè)芯片中起到關(guān)鍵的作用。其中多處的基準電壓源電路分別為各比較器提供合適的參考電壓和為振蕩器提供合適的起振電壓， 并且使比較器和振蕩器工作在弱反型區。此處不對各基準電壓源的具體數值單獨分析， 只對其原理作詳細的分析。

2.1 基準電壓源電路　　

傳統基準電壓源電路由帶隙基準電路、帶隙基準啟動(dòng)電路、比較器電路和電阻分壓網(wǎng)絡(luò )組成?！　?/p>

但本文的電源電壓有時(shí)工作在2 V, 此時(shí)傳統的帶隙基準電路由于電源電壓太低而無(wú)法工作在正常的區域； 整個(gè)片子要求的功耗非常小， 若采用傳統的帶隙基準電路功耗會(huì )過(guò)大。本文提出了更有效的辦法， 用耗盡型工藝取代了原始的BiCMOS 工藝?！　?/p>

電路如圖2 所示，M84 為耗盡型管子， 其閾值電壓是可調的。在版圖設計中M84 單獨設計在一個(gè)隔離層中， 避免其他器件的干擾。

該電路是具有負反饋功能的基準電路，產(chǎn)生基準電壓Vbd、Vb1、V b2.因為電源在非正常情況下波動(dòng)范圍很大， 所以電容C 的作用是使電路對電源波動(dòng)太大時(shí)不敏感； SD 是電路工作的使能端， 低電平有效； R22、R21、R25 構成負反饋網(wǎng)絡(luò )， R23、R24 構成分壓電路?！　?/span>