MOSFET封裝伸援助之手 滿(mǎn)足芯片組移動(dòng)新功能

亞芯片級封裝

XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點(diǎn)(類(lèi)似于DFN型封裝)，采用創(chuàng )新的內部設計，使整體封裝尺寸小于任何類(lèi)似芯片級封裝。

圖4. LLGA 3 0.62 x 0.62 x 0.4mm亞芯片級無(wú)引線(xiàn)封裝。

安森美半導體的NTNS3193NZ及NTNS3A91PZ使用最新XLLGA3 3導線(xiàn)亞芯片級封裝(見(jiàn)圖3)，尺寸僅為0.62 x 0.62 x 0.4 mm，是業(yè)界極其微型化的分立小信號MOSFET，總占位面積僅為0.38mm2。N溝道NTNS3193NZ的典型導通電阻為0.65 Ω @ ±4.5 V閘極至源極電壓，而NTNS3A91PZ P溝道元件的典型導通電阻為典型值1.1Ω@±4.5 V。它們是安森美半導體20 V小信號MOSFET系列中最小的元件;此系列元件還包括采用SOT563 (1.6x1.6x0.5 mm)、SOT723 (1.2 x 1.2 x 0.5 mm)、SOT963 (1.0 x 1.0 x 0.5 mm)及SOT883 (1.0 x 0.6 x 0.4 mm)封裝的元件。

隨著(zhù)全球人口中使用移動(dòng)技術(shù)的比例不斷提升，不斷發(fā)展的市場(chǎng)對更高性能及功能的需求預計也將上升。產(chǎn)品設計人員要想在短時(shí)間內領(lǐng)先于競爭對手來(lái)滿(mǎn)足這些要求，必須依靠結合硅技術(shù)進(jìn)步及封裝技術(shù)改進(jìn)。雖然大規模集成電路(LSI)持續遵循摩爾定律，在連續多世代的移動(dòng)芯片組中集成更多功能，毫無(wú)疑問(wèn)，新元件只會(huì )在市場(chǎng)需求被確認一段時(shí)間后才上市。

為了確保透過(guò)使用多個(gè)標準IC開(kāi)發(fā)成功的設計來(lái)盡早上市，設計人員必須充分利用充當關(guān)鍵功能區域“膠合劑”(glue)之小信號分立元件創(chuàng )新的優(yōu)勢。隨著(zhù)每個(gè)新芯片組的上市，領(lǐng)先的設計已經(jīng)應用多芯片，并推動(dòng)亞芯片級分立MOSFET的進(jìn)一步需求。