技術(shù)知識：嵌入式功率系統的100V MOSFET器件

3.最低的FOMg和FOMgd值

有效功率轉換的最高需求是在面向電信和服務(wù)器電源以及類(lèi)似系統的DC/DC轉換領(lǐng)域。

轉換器要求以有效方式提供最高的電流。這只有通過(guò)利用最先進(jìn)的組件和拓撲結構并采用250kHz及以上的開(kāi)關(guān)頻率才能實(shí)現。

對于標準48V寬范圍系統而言，100VMOSFET通常作為半橋或全橋拓撲結構中的原邊側主開(kāi)關(guān)。由于開(kāi)關(guān)頻率非常高，需要低導通電阻Rds(on)，亦需要低柵電荷Qg。FOMG(Rds(on)、Qg)成為MOSFET選擇的一個(gè)可靠衡量尺度。此外，與開(kāi)斷損耗直接相關(guān)的Qgd也同樣重要。需要注意，整體效率僅增加1%將意味著(zhù)MOSFET開(kāi)關(guān)溫度下降17℃。D類(lèi)放大器也有類(lèi)似的要求，在D類(lèi)放大器中，MOSFET運行在半橋或全橋拓撲結構里。

100V MOSFET的應用涵蓋眾多要求。新型OptiMOS2 100V系列采用了先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，可為安全、快速開(kāi)關(guān)和最低電阻功率MOSFET器件提供所需的特性。