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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
- _____MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿(mǎn)足電路的效率，設計者需要知道這些參數。例如，設計一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說(shuō)明書(shū)中提供。圖1 功率MOSFET的組件級電容三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設備終端之間的電容。在電路上觀(guān)察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如，圖1說(shuō)明了一個(gè)功率MOSFET的組件級電容
- 關(guān)鍵字： MOSFET器件 高壓CV測試 Tektronix 泰克
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