等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性 作者： 時(shí)間：2009-05-20 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 沉浸和預處理時(shí)間的影響 為了進(jìn)一步了解NH3等離子預處理對器件電學(xué)性質(zhì)的作用，作了一些實(shí)驗研究沉浸（NH3和N2）和預處理（NH3）時(shí)間對VBD性能的影響。 實(shí)驗結果顯示，沉浸和預處理總時(shí)間增加時(shí)，擊穿電壓大大提高（圖6），這可能是因為Cu/SiN界面的改善，與Cu/SiN界面上C和O含量的減少是一致的。 上一頁(yè) 1 2 3 4 5 下一頁(yè)
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