等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性 作者： 時(shí)間：2009-05-20 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 等離子預處理作用 為了了解等離子處理對Cu/SiN界面的作用，在PECVD系統中于淀積SiN體薄膜前有和沒(méi)有預處理情況下淀積SiN薄膜。通過(guò)用SIMS測量Cu和SiN界面污染，研究等離子預處理的作用。實(shí)驗數據說(shuō)明，淀積SiN體薄膜前用NH3處理可顯著(zhù)減少Cu和SiN界面處的O和C含量（圖3）。增加預處理時(shí)間也可使O和C含量減少，見(jiàn)圖4和圖5，這表明NH3預處理是去除有機污染和減少到Cu的Cu-O的有效方法。 上一頁(yè) 1 2 3 4 5 下一頁(yè)
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