V型電極的大功率LED芯片的封裝

對于V型電極LED芯片，如圖1所示，其中兩個(gè)電極的p極和n極都在同一面。這種led芯片的通常是絕緣體（如Al2O3、藍寶石），而且在絕緣體的底層外殼上一般鍍有一層光反射層，可以使襯底的光反射回來(lái)，從而讓光線(xiàn)從正面射出，以提高光效。

圖1 V型電極LED芯片的封裝

這種封裝應在絕緣體下表面用一種導熱（絕緣）膠把LED芯片與熱沉粘合，上面把兩個(gè)電極用金絲焊出。特別要注意大功率LED通過(guò)的電流大，1W LED的電流一般為350mA，所以要用粗金絲。不過(guò)有時(shí)粗金絲不適用于焊線(xiàn)機，也可以并聯(lián)焊兩根金絲，這樣使每根金絲通過(guò)的電流減少。這種芯片的烘干溫度是100~150℃，時(shí)間一般是60~90分鐘。

在封裝白光LED時(shí)應用硅凝膠調和熒光粉。如果LED芯片底層已鍍上金錫合金，也可用第一種辦法來(lái)做。