安森美半導體設計出首款集成控制器為下一代芯片組和DDR存儲提供電源

安森美半導體計算機市場(chǎng)發(fā)展總監Mike Kenyon說(shuō)：“NCP5210領(lǐng)先業(yè)界，為下一代芯片組和DDR存儲提供高集成的電源管理解決方案。安森美半導體將開(kāi)發(fā)重點(diǎn)集中在生產(chǎn)高性能、經(jīng)濟高效控制器，這是公司為高速變化的臺式電腦環(huán)境提供完整電源解決方案的一環(huán)?！?/P>

NCP5210將VDDQ電源和MCH磁心電壓電源的兩個(gè)脈寬調制（PWM）降壓轉換器與VTT端頭電壓的2.1安培（A）源-匯線(xiàn)性電源穩壓器相結合。此外，該器件提供多重保護功能，包括軟啟動(dòng)線(xiàn)路、轉換輸入電壓的欠壓監測、熱停機以及過(guò)流保護。過(guò)流保護可防止由于存儲模塊的不正確插放損壞DDR存儲。

NCP5209結合了一個(gè)用于所有DDR存儲VDDQ的PWM降壓轉換器、一個(gè)VTT線(xiàn)性源-匯穩壓器和一個(gè)MCH二步進(jìn)線(xiàn)性方案。它是DDR2主板經(jīng)濟高效的解決方案。

NCP5210和NCP5209采用小巧的QFN-20封裝?，F已提供選擇樣品和評估板。這些器件定于第四季度投入生產(chǎn)。該集成控制器系列的其他器件將提供不同規格，具有更大靈活性，令計算機主板設計人員可以成本和性能為其系統選擇最佳的集成等級。

全面解決方案
NCP5210與NTD60N02R MOSFET結合使用，為下一代芯片組和DDR存儲提供完整、可刻度的電源方案。NTD60N02R的低臨界電壓具有低門(mén)-驅動(dòng)電壓較佳的良好傳導特性。

安森美半導體計算機技術(shù)市場(chǎng)總監Bernie Boland說(shuō)：“CPU制造商在微處理器和計算機存儲設計上不斷推進(jìn)，我們將為其提供滿(mǎn)足他們冒進(jìn)發(fā)展計劃要求的電源管理解決方案。采用具有實(shí)效的電源設計勝過(guò)花費時(shí)間與金錢(qián)從零開(kāi)始設計和優(yōu)化一套電源系統。因此，安森美半導體提供總包參考設計和應用電源方案所需的電源器件，真正做到與最新主板計算機構建模塊的完美配合?！?BR>