基于A(yíng)RM9內核Processor外部NANDFLASH的控制實(shí)現

　　NAND寫(xiě)回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁(yè)是NAND中的基本存貯單元，一頁(yè)一般為512B(也有2kB每頁(yè)的largepageNANDFLASH)，多個(gè)頁(yè)面組成塊。不同存儲器內的塊內頁(yè)面數不盡相同，通常以16頁(yè)或32頁(yè)比較常見(jiàn)。塊容量計算公式比較簡(jiǎn)單，就是頁(yè)面容量與塊內頁(yè)面數的乘積。根據FLASHMemory容量大小，不同存儲器中的塊、頁(yè)大小可能不同，塊內頁(yè)面數也不同。例如：8MB存儲器，頁(yè)大小常為512B、塊大小為8kB，塊內頁(yè)面數為16。而2MB的存儲器的頁(yè)大小為256B、塊大小為4kB，塊內頁(yè)面數也是16。NAND存儲器由多個(gè)塊串行排列組成。實(shí)際上，NAND型的FLASHMemory可認為是順序讀取的設備，他僅用8b的I/O端口就可以存取按頁(yè)為單位的數據。NAND在讀和擦寫(xiě)文件、特別是連續的大文件時(shí)，速度相當快。

2 NANDFLASH與NORFLASH比較

　　NOR的特點(diǎn)是可在芯片內執行，這樣程序應該可以直接在FLASH內存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，但寫(xiě)入和讀出速度較低。而NAND結構能提供極高的單元密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快，是高數據存儲密度的最佳選擇。

　　這兩種結構性能上的異同主要為：NOR的讀速度比NAND快；NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多；NAND的擦除速度遠比NOR快；NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路也更加簡(jiǎn)單；NAND的實(shí)際應用方式要比NOR復雜得多；NOR可以直接使用，并在上面直接運行代碼，而NAND需要I/O接口，因此使用時(shí)需要驅動(dòng)程序。

3 NANDFLASH在系統中的控制

　　在沒(méi)有NANDFLASH硬件接口的環(huán)境中，通過(guò)軟體控制CPU時(shí)序和硬件特殊接線(xiàn)方式實(shí)現仿真NANDFLASH接口，進(jìn)而實(shí)現在嵌入式系統中脫離NANDFLASH專(zhuān)用硬件接口進(jìn)行對NANDFLASH讀、寫(xiě)、擦除等操作的實(shí)現方法。

本方法主要工作在以下兩個(gè)方面：

　　軟件方面：針對特殊硬件線(xiàn)路的軟體設計和嚴格的CPU時(shí)序控制；

　　硬件方面：硬件的線(xiàn)路設計，利用NORFLASH專(zhuān)用硬件接口控制NANDFLASH。

　　首先建立的開(kāi)發(fā)平臺如圖1所示。

　　本平臺使用Intel的PXA270Processor，無(wú)內建NANDFLASHCONtroller，使用NORFLASHController控制NANDFLASH，具體的線(xiàn)路連接方式如圖2所示。

　　　NANDFLASH的I/O0～I/07引腳用于對FLASH發(fā)送操作命令和收發(fā)數據，ALE用于指示FLASH當前數據為地址信息，CLE用于指示當前數據為操作命令信息，當兩者都無(wú)效時(shí)，為數據信息。CE引腳用于FLASH片選。RE和WE分別為FLASH讀、寫(xiě)控制，R/B指示FLASH命令是否已經(jīng)完成。逭里選用的是CEdon'tcare的NANDFLASH。