嵌入式系統flash接口電路的實(shí)現

　　HY29LV160的RESET＃端接系統復位信號；

　　OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；

　　WE＃端S3C4510B的nWBE0>（Pin100）；

　　BYTE＃上拉，使HY29LV160工作在字模式（16位數據寬度）；

　　RY/BY#指示HY29LV160編程或擦除操作的工作狀態(tài)，但其工作狀態(tài)也可通過(guò)查詢(xún)片內的相關(guān)寄存器來(lái)判斷，因此可將該引腳懸空；

　　地址總線(xiàn)[A19～A0]與S3C4510B的地址總線(xiàn)[ADDR19～ADDR0]相連；

　　16位數據總線(xiàn)[DQ15~DQ0]與S3C4510B的低16位數據總線(xiàn)[XDATA15~XDATA0]相連。

　　注意此時(shí)應將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“10”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為16位工作方式。

　　1.3.2. 32位的FLASH存儲器系統

　　作為一款32位的微處理器，為充分發(fā)揮S3C4510B的32性能優(yōu)勢，有的系統也采用兩片16位數據寬度的Flash存儲器芯片并聯(lián)（或一片32位數據寬度的Flash存儲器芯片）構建32位的Flash存儲系統。其構建方式與16位的Flash存儲器系統相似。

　　采用兩片HY29LV16并聯(lián)的方式構建32位的FLASH存儲器系統，其中一片為高16位，另一片為低16位，將兩片HY29LV16作為一個(gè)整體配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS0>（Pin75）接至兩片HY29LV16的CE＃端；

　　兩片HY29LV160的RESET＃端接系統復位信號；

　　兩片HY29LV160的OE＃端接S3C4510B的nOE（Pin72）；

　　低16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE0>（Pin100），高16位片的WE＃端接S3C4510B的nWBE2>（Pin102）；

　　兩片HY29LV160的BYTE＃均上拉，使之均工作在字模式；

　　兩片HY29LV160的地址總線(xiàn)[A19～A0]均與S3C4510B的地址總線(xiàn)[ADDR19～ADDR0]相連；

　　低16位片的數據總線(xiàn)與S3C4510B的低16位數據總線(xiàn)[XDATA15~XDATA0]相連，高16位片的數據總線(xiàn)與S3C4510B的高16位數據總線(xiàn)[XDATA31~XDATA16]相連。

　　注意此時(shí)應將S3C4510B的B0SIZE[1:0]置為“11”，選擇ROM/SRAM/FLASH Bank0為32位工作方式。

　　2.S3C4510B系統管理器關(guān)于存儲器映射的工作原理

　　當系統設計制作完成時(shí)，必須經(jīng)過(guò)仔細的調試，才能保證系統按照設計意圖正常工作。盡管系統的調試與個(gè)人對電路工作原理的理解和實(shí)際的電路調試經(jīng)驗有很大的關(guān)系，但一定的調試方法也是必不可少的。掌握正確的調試方法可使調試工作變得容易，大大縮短系統的開(kāi)發(fā)時(shí)間，反之，可能會(huì )使整個(gè)系統的開(kāi)發(fā)前功盡棄，以失敗告終。

　　在系統的兩類(lèi)存儲器中，SDRAM相對于FLASH存儲器控制信號較多，似乎調試應該困難一些，但由于SDRAM的所有刷新及控制信號均由S3C4510B片內的專(zhuān)門(mén)部件控制，無(wú)需用戶(hù)干預，在S3C4510B正常工作的前提下，只要連線(xiàn)無(wú)誤，SDRAM就應能正常工作，反之，Flash存儲器的編程、擦除操作均需要用戶(hù)編程控制，且程序還應在SDRAM中運行，因此，應先調試好SDRAM存儲器系統，再進(jìn)行Flash存儲器系統的調試。

　　基于S3C4510B系統的最大可尋址空間為64MB，采用統一編址的方式，將系統的SDRAM、SRAM、ROM、Flash、外部I/O以及片內的特殊功能寄存器和8K一體化SRAM均映射到該地址空間。為便于使用與管理，S3C4510B又將64MB的地址空間分為若干個(gè)組，分別由相應的特殊功能寄存器進(jìn)行控制：

　?。?） ROM/SRAM/Flash組0～ROM/SRAM/Flash組5，用于配置ROM、SRAM或Flash，分別由特殊功能寄存器ROMCON0～ROMCON5控制；

　?。?）DRAM/SDRAM組0～DRAM/SDRAM組3用于配置DRAM或SDRAM，分別由特殊功能寄存器DRAMCON0～DRAMCON3控制；

　?。?）外部I/O組0～外部I/O組3用于配置系統的其他外擴接口器件，由特殊功能寄存器REFEXTCON控制；

　?。?）特殊功能寄存器組用于配置S3C4510B片內特殊功能寄存器的基地址以及片內的8K一體化SRAM，由特殊功能寄存器SYSCFG控制；

　　在系統中，使用了Flash存儲器和SDRAM，分別配置在ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0，暫未使用外擴接口器件。

　　3基于S3C4510B的嵌入式系統Flash存儲器接口電路的調試

　　Flash存儲器的調試主要包括Flash存儲器的編程（燒寫(xiě)）和擦除，與一般的存儲器件不同，用戶(hù)只需對Flash存儲器發(fā)出相應的命令序列，Flash 存儲器通過(guò)內部嵌入的算法即可完成對芯片的操作，由于不同廠(chǎng)商的Flash存儲器在操作命令上可能會(huì )有一些細微的差別，Flash存儲器的編程與擦除工具一般不具有通用性，這也是為什么Flash接口電路相對較難調試的原因之一，因此，應在理解Flash存儲器編程和擦除的工作原理的情況下，根據不同型號器件對應的命令集，編寫(xiě)相應的程序對其進(jìn)行操作。

　　若使用SDT調試環(huán)境，調試過(guò)程與上述步驟相似。

　　>obey C:memmap.txt

　　打開(kāi)AXD Debugger的命令行窗口，執行obey命令：

　　此時(shí)，2MB的Flash存儲器映射到地址空間的0x0000,0000～0x001F,FFFF處，選擇菜單Processor Views→Memory選項，出現存儲器窗口，在存儲器起始地址欄輸入Flash存儲器的映射起始地址：0x0,數據區應顯示Flash存儲器中的內容，若Flash存儲器為空，所顯示的內容應全為0xFF,否則應為已有的編程數據。雙擊其中的任一數據，輸入新的值，對應存儲單元的內容應不能被修改，此時(shí)可初步認定Flash存儲器已能被訪(fǎng)問(wèn)，但是否能對其進(jìn)行正確的編程與擦除操作，還需要編程驗證，通過(guò)程序對Flash存儲器進(jìn)行編程和擦除操作。

　　4結束語(yǔ)

　　這樣整個(gè)基于的嵌入式系統Flash存儲器接口電路的調試基本上完成了，當然對于不同的系統，操作是略有不同的，我們可以根據所要開(kāi)發(fā)或使用的嵌入式系統模式，進(jìn)行適當的調整，保證我們正確的使用Flash存儲器。