EEPROM的幾種保護方法

串行EEPROM 應該是一種很可靠的設備，但在我的使用中，經(jīng)常會(huì )出現數據出錯的情況，毛主席老人家說(shuō)：知己知比，方能百戰不敗!是什么原因呢?其實(shí)這種情況多發(fā)生在插拔電的情況下。讓我們來(lái)瞧瞧：

1. EEPROM 讀寫(xiě)的時(shí)序可能有小小的不對

2. 是在掉電時(shí)，在電壓降低到一定程度后到完全沒(méi)電之間的一段時(shí)間內，在MCU與EEPROM 的讀寫(xiě)信號線(xiàn)上出現非控制的快速隨機電平，這些電平可能會(huì )組合出一些被EEPROM 認為合法的寫(xiě)命令，結果將EEPROM 中的值修改掉了;

3. 在上電的復位期間，I/O 腳上電平未定，也可能隨機組合出一些寫(xiě)命令;

4. 在讀EEPROM 操作過(guò)程中，出現了復位(如充電復位)等，形成類(lèi)似于(二)的情況;

5. 在電壓降低后，可能會(huì )出現MCU 跑飛了，結果運行到了寫(xiě)EEPROM 的底層驅動(dòng)程序中，強來(lái)將數據寫(xiě)入了進(jìn)去!嘿嘿!讓我們嘗嘗強扭的瓜不甜!

對待敵人可不能手軟，怎樣扼殺他們在萌芽狀態(tài)!看我的絕招：

1. 擺闊氣：按Datasheet 上的時(shí)序，發(fā)現多數時(shí)候讀寫(xiě)正確，但有時(shí)偶爾不對，這時(shí)可以降低讀寫(xiě)的速度，多幾個(gè)NOP，不要太小氣嗎?咱們度量(ROM)還是能容的下的!

2. 避風(fēng)頭：為防止讀EEPROM 的過(guò)程中出現復位，我們可以在MCU 復位后200ms 內禁止讀寫(xiě)EEPROM，因充電引起的復位抖動(dòng)，一般在數十毫秒內，過(guò)了這段時(shí)間，再出現復位的可能性不大，

3. 查證件：在寫(xiě)EEPROM 的底層驅動(dòng)程序中，在執行寫(xiě)動(dòng)作時(shí)，判斷一下某些標志，有良名證的才能通過(guò)，否則，只好打回原籍(跳到復位地址)

4. 多買(mǎi)保險(3份最佳)以自救：對于重要的數據(如通信密碼、參數設置等，這些部分信息量不大，我們要采用三次備份的手段。這些信息存放在三個(gè)不同的PAGE 內，最好PAGE 內的地址也不一樣。在我們寫(xiě)這些數據時(shí)，要針對不同的地址寫(xiě)三次，而讀時(shí)，對于三處讀來(lái)的數據，如果全相同，沒(méi)什么可說(shuō)的了，如果有兩個(gè)相同，一個(gè)不同，則使用大數判決，使用相同的那個(gè)值，并將這個(gè)數值寫(xiě)到不同的那個(gè)地址去。當然，如果三個(gè)值全不同，只好隨便取一個(gè)(如第一個(gè))，再將其寫(xiě)入另兩個(gè)地址中去。這種方法非常有效，因為一般誤擦除不會(huì )是全部數據，而只是某一處而已，我們可以允許EEPROM 某單元被誤擦除，只要讀了一次，就恢復了。