MSP430---FLASH 讀寫(xiě)

FLASH存儲器可以連續寫(xiě)入

// 按字節寫(xiě)入指定的數量的數據

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

{

_DINT();

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

while (len)

{

*ptr++ = *from++;

len--;

}

}

在我們的應用程序中可以將要保存的數據放在一個(gè)自定義的結構中，例如：

typedef struct Setup

{

float gain_ch0; // 0通道增益

float gain_ch1; // 1通道增益

float gain_ch2; // 2通道增益

…

char init_flag; //初始化標記，恒為0xAA;

}SETUP;

我們定義了一個(gè)SETUP結構，存放三個(gè)AD通道的增益，以及其他要掉電保存的信息，init_flag的作用是標志FLASH的參數是否已被正確初始化，當我們設置了FLASH參數后，將init_flag置一個(gè)固定值，例如設為0xAAh，在程序開(kāi)始運行時(shí)，檢查init_flag，當init_flag的值為0xAAh時(shí)，表明參數已被初始化。

使用FLASH參數：在程序中定義一個(gè)SETUP類(lèi)型的指針變量，通過(guò)這個(gè)指針訪(fǎng)問(wèn)FLASH中的參數。例如：

#define SegmentA 0x1080

float temp;

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)

{

temp = p_setup_flash->gain_ch0;

}

修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一樣直接修改，可以將FLASH信息拷貝到RAM中，修改相應參數后，重新保存到FLASH存儲器中，之前要先擦除FLASH存儲區。例如：

SETUP *p_setup;

SETUP buf; // 臨時(shí)變量

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH

memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷貝到RAM

p_setup = buf; // 指向RAM

p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改參數

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷貝到FLASH