半導體集成電路型號命名法
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5.1~510×103
5.1~910×103
5.1~2×103
5.1~5.1×103
-(6~20) ×10—4
10MHz以下
RU型
硅碳膜電阻
0.125，0.25
0.5
0.2
5.1~910×103
10~2×106
10~10×106
±(7~12) ×10—4
10MHz以下
RJ 型
金屬膜電阻
0.125
0.25
0.5
1.2
30~510×106
30~1×106
30~5.1×106
30~10×106
±(6~10) ×10—4
10MHz以下
RX型
線(xiàn)繞電阻
2.5~100
10~100×106
低頻
二、電容器的主要特性指標
- 電容器的耐壓
常用固定式電容器的直流工作電壓系列為（單位為伏）：
6.3，10，16，25，62，40，50，63，100，160，250，400….
其中，32和50系列只限于電解電容器用。
- 電容器容許誤差等級和標稱(chēng)容量值
按容許誤差，電容器分為常見(jiàn)的七個(gè)等級：
容許 誤差 | ±2% | ±5% | ±10% | ±20% | +20% -30% | +50% -20% | +100% -10% |
級別 | 02 | Ⅰ | Ⅱ | Ⅲ | IV | V | VI |
固定電容器的標稱(chēng)容量系列如下表所示：
名稱(chēng) | 容許誤差 | 容量范圍 | 標稱(chēng)容量系列 |
紙介電容器 金屬化紙介電容器 紙膜復合介電容器 低頻（有極性）有機薄膜介質(zhì)電容器 | ±5% ±10% ±20% | 100ρF~1μF | 1,1.5,2.2 3.3,4.7,6.8 |
1μF~100μF | 1,2,4,6,8,10, 15,20,30,50,60, 80,100 | ||
高頻（無(wú)極性）有機薄膜介質(zhì)電容器 瓷介質(zhì)電容器 玻璃釉電容器 云母電容器 | ±5% ±10% ±20% | E24 E12 E6 | |
±20%以上 | E6 |
固定電容器的標稱(chēng)容量系列（續）
名稱(chēng) | 容許誤差 | 容量范圍 | 標稱(chēng)容量系列 |
鋁，鉭，鈮電解電容器 | ±10% ±20% | 1,1.5,2.2 3.3,4.7,6.8 （容量單位為μF） |
下表列出了常用電容器的幾項主要特性：
名稱(chēng) | 容量范圍 | 直流工作 電壓（V） | 適用頻率（MHz） | 準確度 | 漏阻（MΩ） | |
紙介電容器 （中、小型） | CZ型 | 470ρF~ 0.22μF | 63~630 | 8以下 | ±(5~20)% | >5000 |
金屬殼密封 紙介電容器 | CZ3 | 0.01μF~ 10μF | 250~1600 | 直流 脈動(dòng)直流 | ±(5~20)% | >1000~5000 |
金屬化紙介電容器（中、小型） | CJ | 0.01μF~ 0.2μF | 160,250,400 | 8以下 | ±(5~20)% | >2000 |
金屬殼密封金屬化紙介電容器 | CJ3 | 0.22μF~ 30μF | 160~1600 | 直溜脈動(dòng)直流 | ±(5~20)% | >30~50000 |
薄膜電容器 | 3ρF~ 0.1μF | 63~500 | 高頻、低頻 | ±(5~20)% | >10000 | |
云母電容器 | CY | 10ρF~ 0.05μF | 100~7000 | 75~250以下 | ±(2~20)% | >10000 |
瓷介電容器 | CC | 1ρF~ 0.1μF | 63~630 | 低頻高頻50~3000以下 | ±(2~20)% | >10000 |
鋁電解電容器 | CC | 1~ 10000μF | 4~500 | 直溜脈動(dòng)直流 | +20 +50 % ~% -30-20 | |
鉭、鈮電解電容器 | CA CN | 0.47μF 存儲器相關(guān)文章:存儲器原理 相關(guān)推薦技術(shù)專(zhuān)區
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