D類(lèi)放大器設計時(shí)的散熱問(wèn)題

D類(lèi)放大器設計時(shí)的散熱問(wèn)題

在實(shí)驗室評估D類(lèi)放大器性能時(shí)，常使用連續正弦波作為信號源。盡管使用正弦波進(jìn)行測量比較方便，但這樣的測量結果卻是放大器在最壞情況下的熱負載。如果用接近最大輸出功率的連續正弦波驅動(dòng)D類(lèi)放大器，則放大器常常會(huì )進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)。
常見(jiàn)的音源，包含樂(lè )音和語(yǔ)音，其RMS值往往比峰值輸出功率低得多。通常情況下，語(yǔ)音的峰值與RMS功率之比(即波峰因數)為12dB，而樂(lè )音的波峰因數為 18～20dB。圖1為時(shí)域內音頻信號和正弦波的波形圖，給出了采用示波器測量?jì)烧逺MS值的結果。雖然音頻信號峰值略高于正弦波，但其RMS值大概只有正弦波的一半。同樣，音頻信號可能存在突變，但正如測量結果所示，其平均值仍遠低于正弦波。雖然音頻信號可能具有與正弦波相近的峰值，但D類(lèi)放大器表現出來(lái)的熱效應卻大大低于正弦波。因此，測量系統的熱性能時(shí)，最好使用實(shí)際音頻信號而非正弦波作為信號源。如果只能使用正弦波，則所得到的熱性能要比實(shí)際系統差。

圖1 正弦波的RMS值高于音頻信號的RMS值

PCB的散熱考慮

在工業(yè)標準TQFN封裝中，裸露的焊盤(pán)是IC散熱的主要途徑。對于底部有裸露焊盤(pán)的封裝，PCB及其敷銅層是D類(lèi)放大器主要的散熱渠道。如圖2所示，將D類(lèi)放大器貼裝到常見(jiàn)的PCB，最好根據以下原則：將裸露焊盤(pán)焊接到大面積敷銅塊。盡可能在敷銅塊與臨近的具有等電勢的D類(lèi)放大器引腳以及其他元件之間多布一些敷銅。本文的案例中，敷銅層與散熱焊盤(pán)的右上方和右下方相連(見(jiàn)圖2)。敷銅走線(xiàn)應盡可能寬，因為這將影響到系統的整體散熱性能。

圖2 D類(lèi)放大器采用TQFN或TQFP封裝時(shí)，裸露焊盤(pán)是其主要散熱通道

與裸露焊盤(pán)相接的敷銅塊應該用多個(gè)過(guò)孔連到PCB背面的其他敷銅塊上，并應該在滿(mǎn)足系統信號走線(xiàn)的要求下具有盡可能大的面積。加寬所有與器件的連線(xiàn)，這將有益于改善系統的散熱性能。雖然IC的引腳并不是主要的散熱通道，但實(shí)際應用中仍然會(huì )有少量發(fā)熱。圖3所示的PCB中，寬連線(xiàn)將D類(lèi)放大器的輸出與圖右側的兩個(gè)電感相連。在這種情況下，電感的銅芯繞線(xiàn)也可為D類(lèi)放大器提供額外的散熱通道。雖然對整體熱性能的改善不到10%，但這樣的改善卻會(huì )給系統帶來(lái)兩種截然不同的結果—系統具備較理想的散熱或出現較嚴重的發(fā)熱。

圖3 D類(lèi)放大器右側較寬的布線(xiàn)有助于導熱

輔助散熱

當D類(lèi)放大器在較高的環(huán)境溫度下工作時(shí)，增加外部散熱片可以改善PCB的熱性能。該散熱片的熱阻必須盡可能小，以使散熱性能最佳。采用底部的裸露焊盤(pán)后，PCB底部往往是熱阻最低的散熱通道。IC的頂部并不是器件的主要散熱通道，因此在此安裝散熱片不劃算。
熱計算

D類(lèi)放大器的管芯溫度可以通過(guò)一些基本計算進(jìn)行估計。本例中根據下列條件計算其溫度：
· TAM= +40℃
· POUT= 16W
· η = 87%
· θJA= 21℃/W

首先，計算D類(lèi)放大器的功耗：

(1)

然后，通過(guò)功耗計算管芯溫度TC，公式如下：
TC＝TA＋PDISS×θJA＝ 40℃＋2.4W×21℃/W=90.4℃ (2)

根據這些數據，可以推斷出該器件工作時(shí)具有較為理想的性能。因為系統很少能正好工作在25℃的理想環(huán)境溫度下，因此應該根據系統的實(shí)際使用環(huán)境溫度進(jìn)行合理的估算。
負載阻抗
D 類(lèi)放大器MOSFET輸出級的導通電阻會(huì )影響它的效率和峰值電流能力。降低負載的峰值電流可減少MOSFET的I2R損耗，進(jìn)而提高效率。要降低峰值電流，應在保證輸出功率， D類(lèi)放大器的電壓擺幅以及電源電壓的限制的條件下，選擇最大阻抗的揚聲器，如圖4所示。本例中，假設D類(lèi)放大器的輸出電流為2A，電源電壓范圍為 5～24V。電源電壓大于等于8V時(shí)，4Ω的負載電流將達到2A，相應的最大連續輸出功率為8W。如果8W的輸出功率能