功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革四

　　而在羅姆提出的四大發(fā)展戰略注13中，其中之一便是“強化以SiC為核心的功率元器件產(chǎn)品”。其實(shí)，羅姆在功率元器件領(lǐng)域的不斷發(fā)展中，為推進(jìn)節能減排，羅姆也一直致力于以新一代元件碳化硅（SiC），氮化鎵（GaN）為原材料的產(chǎn)品的研發(fā)，并已陸續推出了適用于不同業(yè)界的各種解決方案，利用高新技術(shù)將這兩種“理想器件”植入生活的各個(gè)層面。通過(guò)在高效化、大電流化、高耐壓化、小型化、模塊化等各個(gè)方面的研發(fā)，帶來(lái)更多精彩的呈現。

　?。夹g(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

　　注1：SJ-MOSFET

　　超級結MOSFET的縮寫(xiě)。即超級結金屬氧化物場(chǎng)效應三極管。

　　注2：MOSFET

　　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫(xiě)。即金屬-氧化層-半導體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場(chǎng)效晶體管。

　　注3：雙極晶體管

　　又稱(chēng)雙極型晶體管（Bipolar Transistor），由兩個(gè)背靠背PN結構成的具有電流放大作用的晶體三極管。

　　注4：肖特基勢壘二極管（SBD）

　　肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode，縮寫(xiě)成SBD）是一種熱載流子二極管。

　　注5：快速恢復二極管（FRD）

　　快速恢復二極管（Fast Recovery Diode，縮寫(xiě)成FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復時(shí)間短特點(diǎn)的半導體二極管。

　　注6：二極管（Di）

　　又稱(chēng)晶體二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)二極管（Diode，縮寫(xiě)成Di），是一種具有單向傳導電流的電子器件。

　　注7：齊納二極管

　　又稱(chēng)穩壓二極管，是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。

　　注8：SiC

　　Silicon Carbide的縮寫(xiě)。即碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

　　注9：GaN

　　即氮化鎵，屬第三代半導體材料，六角纖鋅礦結構。

　　注10：LDO

　　Low Dropout Regulator的縮寫(xiě)。即低壓差線(xiàn)性穩壓器。

　　注11：DC/DC轉換器

　　是轉變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉換器。

　　注12：FET

　　Field Effect Transistor的縮寫(xiě)。場(chǎng)效應晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件。

　　注13：四大發(fā)展戰略

　　2008年羅姆于創(chuàng )立50周年之際，面向未來(lái)50年提出發(fā)展戰略。其中包括：

　?。?）相乘戰略：羅姆將融合模擬IC及LAPIS Semiconductor的數字LSI技術(shù)，開(kāi)拓汽車(chē)、工控市場(chǎng)。

　?。?）功率元器件戰略：以SiC為核心的元器件技術(shù)及依據功率IC的控制技術(shù)，以及將二者合二為一的模塊技術(shù)，融合這三項技術(shù)，不斷為節能環(huán)保做出貢獻。

　?。?）LED戰略：以L(fǎng)ED照明為核心，從LED貼片、驅動(dòng)IC到電源模塊提供綜合性L(fǎng)ED綜合解決方案。

　?。?）傳感器戰略：羅姆于2009年將MEMS加速度傳感器的供應商Kionix公司納入集團，以世界頂級的產(chǎn)品陣容，滿(mǎn)足傳感器市場(chǎng)的各種需求。