淺談功率半導體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（一）
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現代功率半導體器件的制造技術(shù)與超大規模集成電路一樣都是以微細加工和MOS工藝為基礎，因而為功率半導體的集成化、智能化和單片系統化提供了可能，進(jìn)而促進(jìn)了將功率半導體器件與過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫等傳感與保護電路及其驅動(dòng)和控制電路等集成于同一芯片的單片功率集成電路的迅速發(fā)展。
目前市場(chǎng)主流的功率半導體器件是硅基器件，包括部分SOI（SOI：SilicononInsulator）基高壓集成電路，隨著(zhù)以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和硅基GaN電力電子器件逐漸成為功率半導體器件的重要發(fā)展領(lǐng)域。
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