淺談功率半導體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（二）

　　BCD技術(shù)的眾多特殊要求適應了不同的應用需要，產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現狀也證明不存在“通用”的BCD技術(shù)規范，按照工藝特點(diǎn)，BCD技術(shù)可以分為高壓BCD、大功率BCD、高集成度BCD等。高壓BCD主要用于PDP等要求高耐壓（100V以上）但工作電流不大的領(lǐng)域，大功率BCD主要用于自動(dòng)控制等要求大電流、中等電壓（50V左右）的領(lǐng)域，高集成度BCD則主要用于需要與CMOS非易失性存儲電路工藝兼容的領(lǐng)域。根據系統應用電壓的不同，也可以將基于BCD工藝的功率集成電路分為三類(lèi)：100V以下，100V-300V及300V以上。100V以下的產(chǎn)品種類(lèi)最多，應用最廣泛，包括DC-DC轉換、LCD顯示驅動(dòng)、背光LED顯示驅動(dòng)、PoE、CAN和LIN等。100V-300V的產(chǎn)品主要是PDP顯示驅動(dòng)和電機驅動(dòng)等。300V以上的產(chǎn)品主要是半橋/全橋驅動(dòng)、AC/DC電源轉換和高壓照明LED驅動(dòng)等。

　　BCD工藝正向高壓、高功率、高密度方向發(fā)展，2003年意法半導體引入了采用0.18/0.15？m的體硅BCD8工藝；2006年日本Renesas公司報道了0.25？m的SOIBCD工藝；2009年?yáng)|芝公司推出了60V0.13？m的體硅BCD工藝，可應用于高效DC－DC的電源管理和SoC的單片集成；1200V的BCD技術(shù)也已在Fairchild完成。

　　除硅基和SOI功率集成技術(shù)在不斷發(fā)展外，GaN功率集成在近兩年也受到國際關(guān)注。GaN智能功率技術(shù)將實(shí)現傳統硅功率芯片技術(shù)所不能達到的工作安全性、工作速度及高溫承受能力。2009年香港科技大學(xué)率先報道了單片集成功率晶體管和功率整流器的GaNBoost轉換器，并在此基礎上開(kāi)發(fā)出GaN智能功率集成技術(shù)平臺雛形。由于GaN電力電子器件可基于硅襯底進(jìn)行研制，因此異質(zhì)集成有可能成為GaN功率半導體的研究熱點(diǎn)

　　在國內，在“02專(zhuān)項”的支持下，HHNEC、華潤上華、上海宏力和杭州士蘭微等單位開(kāi)展了40V－600V高壓BCD工藝技術(shù)研發(fā)，較好地支撐了國內功率IC的發(fā)展，但與FLASH等存儲工藝兼容的高密度BCD工藝平臺目前尚屬空白。