電子及材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)

53、Skin Effect集膚效應
在高頻情況下(即日文之高周波)，電流的傳遞多集中在導線(xiàn)的表面，使得導線(xiàn)內部通過(guò)的電流甚少，造成內部導體的浪費，并也使得表面導體部份的電阻升高。為避免此現象一般高頻用途的導線(xiàn)常采多股集束或多股編線(xiàn)方式，以增加更多表面導體消除集膚效應，減少因電阻上升而導致的發(fā)熱情形。

54、Stripline條線(xiàn)
是指單一導體線(xiàn)路與大地 (Ground) 之間已有介質(zhì)層隔開(kāi)；這種由"單一導線(xiàn)"，"介質(zhì)層"及"大地"三者所搭配而成的"傳輸組合"，可用以傳輸微波訊號者，稱(chēng)為Stripline或Microstrip。

55、Tensile Strength抗拉強度
是指金屬材料的一種重要的機械性質(zhì)，可將待試金屬做成固定的"試驗桿"或"試驗片"裝在拉力機上進(jìn)行拉試。其拉斷前之最大拉力謂之"抗拉強度"。

56、Surge突波，突壓
指電路中某一點(diǎn)，其電流或電壓呈現瞬間突然增大或升高的暫短現象。

57、Transmission Line傳輸線(xiàn)
是指由導線(xiàn)及介質(zhì)所共同組成而用以載送訊號 (Signal)的"線(xiàn)路"(Circuit)，其電性已加以管制，得以輸送高頻電子訊號，或狹窄的高速脈沖訊號 (Narrow Pulse Electrical Signal)等，此種用途之線(xiàn)路謂之"傳輸線(xiàn)"。電路板上最常見(jiàn)的傳輸線(xiàn)有附圖中的Microstripe及Stripline等兩種。

58、Voltage Drop電壓降落
指某系統從輸入電流的原始接點(diǎn)起，經(jīng)過(guò)一段導體長(cháng)度或導體的體積后，其所喪失掉的電壓值，謂之 Voltage Drop。大陸術(shù)語(yǔ)為"電壓降"。

59、Voltage電壓
廣義上是指驅動(dòng)電子流動(dòng)的原動(dòng)力，如同水壓一般迫使水流在管路中產(chǎn)生流動(dòng)。通常Voltage在不同的場(chǎng)合，也當成某些類(lèi)似術(shù)語(yǔ)的代詞，如電動(dòng)勢 (Electmotive Force)、電位(Potential)、電位差(Potential Difference)、電壓降落 (Voltage Drop)等。也可從另一觀(guān)點(diǎn)加以解釋?zhuān)缭谕暾幕芈分?，某兩點(diǎn)間如有電子流或電流產(chǎn)生時(shí)，其兩點(diǎn)在電位上的差別就是Voltage。

60、Watt瓦特
為功率(Power)的單位，是指每秒中所做的"功量"(Work Down)。所謂的"瓦特"即每秒所做的功為1焦耳 (Watt=Joule/sec)之謂也。Watt簡(jiǎn)寫(xiě)為 W。在電功方面，凡1安培的電流在一伏特電壓下，所做的電功，亦稱(chēng)為1瓦特；即 Watt=Volt．Ampere。

61、Wiping Action滑動(dòng)接觸(導電)
指兩導體間的電性連通，是靠其一之滑動(dòng)接觸來(lái)完成者，稱(chēng)之Wipping。Ａ Ampere ; 安培 是電流強度的單位。當導體兩點(diǎn)之間的電阻為1 ohm，電壓為 1 Volt時(shí)，其間的電流強度即為 1 Ampere。ＡＣ Alternating Current ; 交流電ＡＣＬ Advanced CMOS Logic ; 改進(jìn)式「互補型金屬氧化物半導體」邏輯DC Direct Current ; 直流電DTL Diode Transistor Logic ; 二極管晶體管邏輯ECL Emitter-Coupled Logic ; 射極耦合邏輯由許多晶體管和電阻器在硅芯片上所合并而形成的一種高速邏輯運算電路。EMC Electromagnetic Compatible;電磁共容EMF Electro-Motive Force ; 電動(dòng)勢ESD Electrostatic Discharge ; 靜電放電許多電子零件及電子組裝機器，常因靜電聚積而造成瞬間放電而可能發(fā)生損壞，故常需接地 (Grounding) ，將所聚集靜電逐漸釋放，以避免ESD的為害。RTL Resistor-Transistor Logic;電阻體／晶體管邏輯TTL Transistor Transistor Logic; 晶體管晶體管邏輯。