電子及材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)

電子及材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)

1、Admittance 導納
指交流電路中，其電流在導體中流動(dòng)的難易程度，亦即為"阻抗 Impedance"的倒數。

2、Aluminium Nitride(AIN)　氮化鋁
是一種相當新式的陶瓷材料，可做為高功率零件急需散熱的封裝材料。此氮化鋁之導熱度極佳，可達 200m2/K，遠高于鋁金屬的 20m2/K，且其熱脹系數 (TCE) 也十分接近半導體晶粒的3.0，成為一種 IC的良好封裝材料，有替代氧化鈹(BeO)及氧化鋁(Al2O3)等陶瓷材料的可能性。

3、Analog Circuit／Analog Signal　模擬電路／模擬訊號
如左圖當逐漸旋轉電位器之旋鈕，使輸入電流慢慢變化即可得到一種"模擬訊號"。所謂"模擬"是指輸出訊號針對輸入訊號做比較時(shí)，其間存在著(zhù)一些類(lèi)似或形成一定比例的變化量，采用此種方式組成的電路系統稱(chēng)為"模擬電路"(如麥克風(fēng))。其中傳輸的訊號則稱(chēng)為"模擬訊號"，多以正弦波表示之。又如左圖的一個(gè)電子計算器，系按0～9以十進(jìn)制制輸入。但在計算內部卻是另采 0 與 1 的二進(jìn)制制進(jìn)行數據處理。兩者不同進(jìn)位數字之間是利用編碼和譯碼器予以溝通，使得在輸出方面又回到十進(jìn)制制。以此種方式組成的電路系統稱(chēng)為 "數字電路" 。其中傳輸的訊號稱(chēng)為 "數字訊號" ，系采低準位的 0 與高準位的 1 所組成的方波形式表示之。早期在 0 與 1 之間的電位差是5V，但為省電起見(jiàn)，新式個(gè)人計算機的邏輯運算方面已降壓至3.3V。不久將來(lái)當硬件組件的精度再度提升后，還會(huì )再降壓至2.5V，其極限電位差應在1.5V。

4、Attenuation　訊號衰減
指高頻訊號于導體中傳輸時(shí)，在振幅電壓(能量)方面的衰減而言，無(wú)論模擬訊號或數字訊號，都會(huì )因電路板的板材與制做各異，而出現不同程度的衰減。

5、Balanced Transmission Lines　平衡式傳輸線(xiàn)
指傳輸線(xiàn)體系中的訊號線(xiàn)，是由兩條并行線(xiàn)并合而成。這種平衡電路 (Balanced Circuit ) 也稱(chēng)為 "差動(dòng)線(xiàn)對" ( Differential Pair) 或差動(dòng)線(xiàn) ( Differential Line) ，又稱(chēng)為偶合 (Coupled) 式傳輸線(xiàn)。至于由單條訊號線(xiàn)所組成的傳輸線(xiàn)，則稱(chēng)為"未平衡式傳輸線(xiàn)" (Unbalanced Transmission Lines)。此種雙條式"差動(dòng)線(xiàn)"其特性阻抗值的量，須用到TOR的兩組"取樣器"(Sampling Header)，分別產(chǎn)生兩個(gè)梯階波(Step Wave)使進(jìn)入兩條訊號線(xiàn)中。若兩梯階波之極性相同時(shí)，則從示波器所得讀值稱(chēng)為"偶模阻抗"，須再除以2始得"共模阻抗"(Zcm)。若二梯階波之極性相反時(shí)稱(chēng)為"奇模阻抗"，須將讀值相減再除以2始得到"差動(dòng)阻抗"。在現場(chǎng)實(shí)測時(shí)儀器的軟件將會(huì )自動(dòng)計算而得到所需的Zo值。

6、Capacitive Coupling電容耦合
板面上相鄰兩導體間，因電容的積蓄能量而引發(fā)彼此各式額外的電性作用，甚至可能導致原有訊號的失真，稱(chēng)為"電容耦合"。尤其在高頻高速訊號的細線(xiàn)密線(xiàn)板，這種相互干擾的行為，必須要盡量設法避免，以提升終端產(chǎn)品的整體性能，因而板材介質(zhì)數就非常講究，要愈低愈好。

7、Conductance 導電
是"電阻值"的顛倒詞，電阻值的單位是歐姆ohm，而導電值的單位也是倒過(guò)來(lái)的"姆歐 mho"，當欲測其上限的電阻值時(shí)，則不如測"導電度值"來(lái)的方便。例如欲測板子清潔度時(shí)，即可測其抽出液導電的"姆歐"值。然而一般人比較懂得電阻的"歐姆"值，故還需要換算"電阻值"才比較容易認同。

8、Creep 潛變
金屬材料在受到壓力或拉力下，會(huì )出現少許伸長(cháng)性應變，但當壓力一直未消除，將逐漸老化而形成金屬疲勞。一旦超過(guò)其應變伸長(cháng)性的限度時(shí)，可能會(huì )出現斷裂的情形 (Rupture)，這種逐漸發(fā)生尺寸改變的情形稱(chēng)為潛變。電路板上的焊點(diǎn)就有這種情形存在。

9、Conductivity 導電度
是指物質(zhì)導通電流的能力，以每單位電壓下所能通過(guò)的電流大小做為表達的數據，也同樣是以"姆歐"為單位。

10、Crystalline Melting Point晶體熔點(diǎn)
指物質(zhì)內部結晶構體崩解之溫度。

11、Doping 摻雜
指半導體的高純度"硅元素"中，為了改變其導電特性，而刻意加入少量的某種雜質(zhì)，以得到所需要的物理性質(zhì)，此種"摻雜"謂之 Doping。

12、Electro-migration電遷移
在基板材料的玻璃束中，當板子處于高溫高濕及長(cháng)久外加電壓下，在金屬導體與玻璃束跨接之間，會(huì )出現絕緣失效的漏電情形稱(chēng)為"電遷移"，又稱(chēng)為CAF(Conductive Anodic Filaments)漏電。