AMAT全方位強化功率半導體生產(chǎn)設備業(yè)務(wù)

　　美國應用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準近年來(lái)需求高漲的功率半導體及MEMS器件市場(chǎng)，將強化200mm晶圓生產(chǎn)設備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來(lái)還打算支持功率半導體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。

　　AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結底還是300mm晶圓相關(guān)設備，但該公司“也一直在致力于200mm設備的業(yè)務(wù)”(AMAT元件及系統部門(mén)全球服務(wù)總監田中豐)。除了銷(xiāo)售新的200mm設備之外，最近該公司還在開(kāi)展對客戶(hù)擁有的200mm設備進(jìn)行升級(改造)的服務(wù)，使這些設備能夠制造功率半導體及MEMS。該公司表示，其中尤其值得期待的是功率半導體領(lǐng)域。

　　作為200mm設備的新市場(chǎng)，功率半導體及MEMS器件領(lǐng)域值得期待。

　　IGBT的構造。要求實(shí)施厚膜外延及深溝道等工序。

　　制造Si-IGBT及超結MOSFET等功率半導體時(shí)，必須要使用厚膜的硅外延成膜設備、厚膜的鋁濺射(PVD)設備以及深蝕刻設備等。而且，要想以低成本制造功率半導體，改善處理能力也很有必要。

　　超結MOSFET的構造。除厚膜外延及深蝕刻外，還需實(shí)施填充溝道的間隙填充外延等工序。

　　瞄準功率半導體及MEMS器件領(lǐng)域的舉措田中介紹稱(chēng)，面向功率半導體的200mm設備業(yè)務(wù)與300mm設備業(yè)務(wù)相比，“競爭環(huán)境大為不同”。300mm設備方面，AMAT的競爭對手是同行業(yè)的大型設備廠(chǎng)商，而200mm設備則不同，“免不了要與從事二手設備改造等業(yè)務(wù)的特定設備廠(chǎng)商競爭”。

　　這里說(shuō)的特定廠(chǎng)商是指專(zhuān)門(mén)從事外延設備及濺射設備等特定設備的再生業(yè)務(wù)的廠(chǎng)商，其優(yōu)勢是價(jià)格低。在功率半導體制造的部分工序中，這些廠(chǎng)商的設備足以滿(mǎn)足需求，因此AMAT面臨著(zhù)殘酷的價(jià)格競爭。但在這些特定廠(chǎng)商的設備無(wú)法獲得充分特性的重要工序方面，AMAT則可發(fā)揮其技術(shù)優(yōu)勢，尤其是在厚膜的外延成膜設備、鋁濺射設備及深溝道蝕刻設備等領(lǐng)域，AMAT可輕松發(fā)揮技術(shù)上的優(yōu)越性。

　　具體而言，厚膜的外延成膜設備方面，AMAT計劃在2014年滿(mǎn)足進(jìn)一步厚膜化的需求，并改善處理能力。雖然目前能實(shí)現的膜厚最大為100μm，但2014年將達到150μm，此外還將把成膜速度從目前的4μm/分鐘提高至5μm/分鐘。另外，在厚膜的鋁濺射設備方面，還打算在2014年內確立膜厚達到5μm、鋁成膜速度達到2μm/分鐘的技術(shù)。

　　此外，AMAT還將大力開(kāi)發(fā)為超結MOSFET形成溝道的深溝道蝕刻設備、填充溝道的間隙填充外延設備、離子注入設備，以及厚度不到100μm的薄化晶圓的處理技術(shù)等。

　　將來(lái)的舉措方面，AMAT提到了支持300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)需求的措施。業(yè)內普遍認為，在硅功率半導體領(lǐng)域，2～3年后部分器件將開(kāi)始用300mm晶圓來(lái)制造。從目前看，估計有很多廠(chǎng)商不會(huì )購置新的300mm設備，而是對已有的300mm設備實(shí)施改造來(lái)制造功率半導體。為此，AMAT將積極展開(kāi)準備工作，以便使在200mm設備中確立的面向功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)能夠推廣到300mm設備。