STM32-FSMC機制的NOR Flash存儲器擴展技術(shù)
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為了達到更好的控制效果，還應考慮FSMC自身延遲問(wèn)題，使用校正公式：
式中：TAVQV為所選存儲芯片訪(fǎng)問(wèn)過(guò)程中，從地址有效至數據有效的時(shí)間域；Tsu(Data_NE)為STM32特征參數，從數據有效到FSMC_NE(片選)失效時(shí)間域；Ttv(A_NE)為STM32特征參數，從FSMC_NE有效至地址有效的時(shí)間域。
TAVQV=130 ns，Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns，對DATAST參數進(jìn)行校正，可得DATAST=3。
3．4 應用STM32固件對FSMC進(jìn)行初始化配置
ST公司為用戶(hù)開(kāi)發(fā)提供了完整、高效的工具和固件庫，其中使用C語(yǔ)言編寫(xiě)的固件庫提供了覆蓋所有標準外設的函數，使用戶(hù)無(wú)需使用匯編操作外設特性，從而提高了程序的可讀性和易維護性。
STM32固件庫中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件，主要包括2個(gè)數據結構和3個(gè)函數。數據結構FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef對應時(shí)間參數寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的結構定義；
FSMC_NORSRAMinitTypeDef對應特征配置寄存器FSMC_BCR的結構定義，并包含2個(gè)指向對應BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef結構指針。針對上述S29GL512P芯片擴展要求，利用固件庫進(jìn)行的主要初始化操作如下：本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202625.htm
結 語(yǔ)
STM32作為新一代ARM Cortex-M3核處理器，其卓越的性能和功耗控制能夠適用于廣泛的應用領(lǐng)域；而其特殊的可變靜態(tài)存儲技術(shù)FSMC具有高度的靈活性，對于存儲容量要求較高的嵌入式系統設計，能夠在不增加外部分立器件的情況下，擴展多種不同類(lèi)型和容量的存儲芯片，降低了系統設計的復雜性，提高了系統的可靠性。
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