STM32-FSMC機制的NOR Flash存儲器擴展技術(shù)
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對于異步突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)方式，FSMC主要設置3個(gè)時(shí)間參數：地址建立時(shí)間(ADDSET)、數據建立時(shí)間(DATAST)和地址保持時(shí)間(ADDHLD)。FSMC綜合了SRAM／ROM、PSRAM和NOR Flash產(chǎn)品的信號特點(diǎn)，定義了4種不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí)，需要設置不同的時(shí)序參數，如表2所列。在實(shí)際擴展時(shí)，根據選用存儲器的特征確定時(shí)序模型，從而確定各時(shí)間參數與存儲器讀／寫(xiě)周期參數指標之間的計算關(guān)系；利用該計算關(guān)系和存儲芯片數據手冊中給定的參數指標，可計算出FSMC所需要的各時(shí)間參數，從而對時(shí)間參數寄存器進(jìn)行合理的配置。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202625.htm
3 STM2擴展S29GL系列NOR Flash實(shí)例
3．1 S29GL系列NOR Flash簡(jiǎn)介
Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技術(shù)制造的高集成度NOR Flash存儲芯片，提供16～128 MB可選容量，支持最快25 ns的頁(yè)訪(fǎng)問(wèn)速度和11O ns的隨機訪(fǎng)問(wèn)速度，帶有最大64字節的寫(xiě)緩沖區，以提供更快、更高效的編程，是嵌入式系統設計中大容量存儲器擴展的理想選擇。本文選用的型號為S29GL512P，容量為512×64K字(總容量64 MB)，擴展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2個(gè)子BANK。
3．2 STM32與S29GL512P的電路連接
S25GL512P可通過(guò)控制引腳BYTE選擇對芯片的訪(fǎng)問(wèn)單位(字／字節)，區別在于：
①對于芯片引腳DQ15，字模式時(shí)傳送最高數據位D15；字節模式時(shí)傳送最低地址A-1。
②字模式時(shí)，數據引腳D0～D15上傳送數據信號；字節模式時(shí)，只有D0～D7上有信號。
此處，將BYTE上拉到高電平，選擇16位的字訪(fǎng)問(wèn)單位。FSMC數據線(xiàn)FSMC_D[15：0]與S29GL512P的D15～D0對應連接；FSMC地址線(xiàn)FSMC_A[25：0]的低25根與S29GL512P的地址線(xiàn)A[24：0]對應連接。
由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可確定其片選線(xiàn)應連接FSMC片選控制線(xiàn)FSMC_NE2。S29GL512P的RY／BY引腳連接FSMC的FSMC_NWAIT引腳，提供等待信號。
3．3 FSMC的配置
根據S29GL512P的映射位置，需要對FSMC_BCR2和FSMC_BTR2／BWTR2寄存器進(jìn)行配置。
(1)FSMC_BCR2
配置S29GL512P的讀／寫(xiě)采用統一時(shí)間參數，只需要設置時(shí)間寄存器FSMC_BTR2。配置存儲器類(lèi)型為NORFlash，數據總線(xiàn)寬度為16位(字)，不采用地址／數據復用，使能BANK1的子BANK2。
(2)FSMC_BTR2
由表2可知，異步NOR Flash時(shí)序模型Mode2／B需要設置時(shí)間參數DATAST和ADDSET。根據時(shí)序圖，兩個(gè)參數的計算公式如下：
式中：Twc和Trc為所選存儲芯片的寫(xiě)周期長(cháng)度和讀操作周期長(cháng)度；Twp為所選存儲芯片的寫(xiě)信號持續長(cháng)度。根據S29GL512P用戶(hù)手冊，可知參數Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。設STM32微控制器采用72 MHz主頻，則HCLK=(1／72×10-6)s。通過(guò)上述公式計算，可取值為：DATAST=2，ADDSET=5。
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