英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹(shù)立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉換效率新標準

隨著(zhù)圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來(lái)越高。中間總線(xiàn)轉換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉換為較低的總線(xiàn)電壓，這對于A(yíng)I數據中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司近日宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺的 IBC級。應用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當于每kW負載節省約4.3 W。如果能擴展到系統層面，如服務(wù)器機架或整個(gè)數據中心，則將帶來(lái)顯著(zhù)的節能效果。例如在一個(gè)擁有2,000個(gè)機架的超大規模數據中心推廣該方案，每小時(shí)可節能1.2 MWh以上，這相當于為25輛小型電動(dòng)汽車(chē)充電所需的能量。該方案能夠為數據中心運營(yíng)商節約成本和減少碳足跡，具有顯著(zhù)的效益。

OptiMOS? SuperSO8 DSC WSON-8-2組合

由于A(yíng)I計算需求不斷增長(cháng)，市場(chǎng)對高效功率管理解決方案的需求也將隨之上升。英飛凌的 OptiMOS? 6 80V 可滿(mǎn)足日益增長(cháng)的能效需求，提供適用于A(yíng)I服務(wù)器 IBC的高性能解決方案。該MOSFET 采用 5x6 mm2 DSC 封裝，在硬開(kāi)關(guān)拓撲中擁有更好的開(kāi)關(guān)性能，且通過(guò)降低導通損耗提高了能效。此外，這種緊湊型封裝可實(shí)現雙面散熱，有助于改善熱管理和提高功率密度，這對于空間有限的AI服務(wù)器環(huán)境至關(guān)重要。

英飛凌擁有廣泛的硅基功率MOSFET產(chǎn)品組合，其中的OptiMOS?  6 80V專(zhuān)為滿(mǎn)足AI服務(wù)器應用對性能、效率和集成度日益增長(cháng)的需求而設計。該產(chǎn)品組合采用最新的MOSFET 技術(shù)，并根據不同用途推出了多種型號，所有產(chǎn)品均針對不同的散熱設計和系統要求進(jìn)行了優(yōu)化。英飛凌硅基功率MOSFET達到最高質(zhì)量和保護標準，因此產(chǎn)品的可靠性、系統正常運行時(shí)間和電源穩定性均有保障。

作為功率系統領(lǐng)域的領(lǐng)導者，英飛凌掌握全部三種半導體相關(guān)材料，推出了廣泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。